【メディアリリース】磁石の中を高速に伝播する"磁気の壁"の運動を電圧で制御することに成功
2018年12月25日
大学院情報理工学研究科情報・ネットワーク工学専攻の仲谷栄伸教授と東京大学及び日本原子力研究開発機構の研究グループは、磁気メモリの高性能化に不可欠である、電圧による磁壁移動の高速化に成功いたしました。
磁石の中を伝播する"磁気の壁"(磁壁)をより高速で駆動させる技術は、磁石に電圧を加える手法はそれを省エネルギーで実現するものとして期待されています。
これまでは秒速1ミリメートル以下という極めて遅い速度領域でしか主な実証報告がありませんでしたが、本研究ではそれよりはるかに高速な秒速100メートルを超える速度領域において、磁壁の速度を電圧により変化させることに成功しました。
メモリとして実用可能な速度領域における電圧による磁壁速度変化の実証は世界初であり、高速・大容量・高耐久性という特性を兼ね備えた究極のストレージメモリとして期待される「レーストラックメモリ」の実現にも大きく近づく成果です。
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