Degree

• PhD（The University of Tokyo）
• 理学修士（東京大学大学院 理学系研究科）

Research History

Education

Awards

• 大学院学生表彰(石田耕大氏)（2019-03）
• 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ学生奨励賞(石田耕大氏)（2018-09）
• 目黒会賞(電気通信大学大学院優秀修士論文賞)(竹下諒氏)（2018-03）
• 目黒会賞(電気通信大学優秀卒業研究賞)(竹下諒氏)（2016-03）
• Triangle Symposium on Advanced Information Communication Technology (TriSAI2010), Best Paper Award（2010-10）
• 目黒会賞(電気通信大学優秀卒業研究賞)(一戸澄雄氏)（2003-03）
• Best Paper Award of Opto-Electronics and Communications Conference (OECC 2002)（2002-07）
• IEEE/LEOS Senior Membership（2001-05）
• NEC Corporation, 2nd-class R&D Award（1999）
• NEC Corporation, 1st-class R&D Award（1996）
• Best Paper Award of the Optical Memory Symposium（1994-07）

Others

Papers

• All-optical-gate-type mode-locked few-picosecond pulsed laser with externally injected, weakly modulated optical seed（2014-09-09）
• Ultrafast distortion-free semiconductor-based all-optical gate that contains optical-spectrum's phase-and-amplitude synthesizer（2009-10）
• 200-Gb/s wavelength conversion using a delayed-interference all-optical semiconductor gate assisted by nonlinear polarization rotation（2009-05） [DOI] [Web of Scientce]
• Analysis of subpulse generation from delayed-interference signal-wavelength converter for wide carrier recovery rate range（2008-09） [DOI] [Web of Scientce]
• 1.55-um, mode-locked, single-longitudinal-mode, 10-GHz, 2-ps, ultra-short optical pulse train from our original semiconductor-based pulse-source scheme（2008-05）
• Frequency-dependent electric dc power consumption model including quantum-conversion efficiencies in ultrafast all-optical semiconductor gates around 160 Gb/s（2007-10） [Web of Scientce]
• Criterion for removing a delayed peak from the ultrafast nonlinear response of photonic crystal/quantum dot waveguides（2007-09）
• Frequency-dependent electric dc power consumption in ultrafast all-optical semiconductor gates（2007-07）
• Optical-spectrum-synthesizer design within an all-optical semiconductor gate to reduce waveform distortion induced by carrier-cooling relaxation at sub-Teraherz frequencies（2006-12） [Web of Scientce]
• New method for characterizing the injected-carrier-to-photon conversion efficiencies inside the ultrafast all-optical semiconductor gates（2006-06）
• 40-GHz mode-locked pulse generation with a new scheme of SOA-based pulse generation（2006-05）
• Experimental and theoretical investigation of the impact of ultra-fast carrier dynamics on high-speed SOA-based all-optical switches（2006-01） [Web of Scientce]
• Modeling of the polarization-discriminating-symmetric-Mach-Zehnder-type optical-3R gate scheme and its available degree of random-amplitude-noise suppression（2006-01） [Web of Scientce]
• Observation of small sub-pulses out of the delayed-interference signal-wavelength converter（2005-10）
• Observation of small sub-pulses generated in the DISC-type wavelength converter（2005-07）
• Threshold condition for pulse generation from a DISC-loop-type pulse generator（2005-07）
• Theoretical and experimental study of fundamental differences in the noise suppression of high-speed SOA-based all-optical switches（2005-06） [Web of Scientce]
• Reduction of nonlinear patterning effects in SOA-based all-optical switches using optical filtering（2005-03）
• Suppression of pseudorandom timing jitters and wavelength chirping properties after optical 3R gating with a Symmetric Mach-Zehnder gate（2004-07）
• Theoretically predicted nonlinear phase imbalance for delayed-interference signal-wavelength convertors (DISC)（2004-05）
• Theoretically predicted perfomance and frequency-scaling rule of a Symmetric-Mach-Zehnder optical 3R gating（2004-01） [DOI] [Web of Scientce]
• Control scheme for optimizing the interferometer phase bias in the Symmetric-Mach-Zehnder all-optical switch (OECC-awarded paper)（2003-05）
• Dependence of nonlinear phase shift on cavity length of SOA for all-optical signal processing（2003-03）
• Control scheme for optimizing the interferometer phase bias in a symmetric-Mach-Zehnder-type all-optical switch（2002-12） [DOI] [Web of Scientce]
• Nonlinear phase shifts induced by semiconductor optical amplifiers with control pulses at repetition frequencies in the 40-160-GHz range for use in ultrahigh-speed all-optical signal processing（2002-11） [Web of Scientce]
• Semiconductor nonlinearities for ultrafast all-optical gating（2002-11） [Web of Scientce]
• Control scheme for optimizing the interferometer phase bias in the Symmetric-Mach-Zehnder all-optical switch（2002-09）
• Experimental demonstration of the compressed optical packet multiplexing scheme（2002-07）
• Control scheme for the optimization of the interferometer phase bias in the Symmetric-Mach-Zehnder all-optical switches (Best Paper Awarded)（2002-07）
• Hybrid integrated Symmetric Mach Zehnder all-optical switch with phase controllers（2002-07）
• Error-free all-optical demultiplexing at 336 Gb/s with a hybrid-integrated Symmetric-Mach-Zehnder switch（2002-03）
• 168-Gb/s all-optical wavelength conversion with a Symmetric-Mach-Xehnder-type switch（2001-10） [Web of Scientce]
• 5-ps, 10-GHz pulse generation from an all-optical semiconductor switch embedded in a ring cavity（2001-10） [Web of Scientce]
• Error-free demultiplexing at 252 Gbit/s and low-power-penalty, jitter-tolerant demultiplexing at 168 Gbit/s with integrated symmetric Mach-Zehnder all-optical switch（2001-09）
• 5-ps 10-GHz pulse generation from a new semiconductor ring oscillator with an all-optical semiconductor switch（2001-07）
• Ultrafast all-optical signal processing with Symmetric Mach-Zehnder type all-optical switches（2001-07） [Web of Scientce]
• Femtosecond switching with semiconductor-optical-amplifier-based Symmetric Mach-Zehnder-type all-optical switch（2001-06） [Web of Scientce]
• Symmetric Mach-Zehnder type all-optical switches and ultrafast all-optical signal processing（2001-06） [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books] [Othres link]
• Penalty-free error-free all-optical data pulse regeneration at 84 Gb/s by using a symmetric-Mach-Zehnder-type semiconductor regenerator（2001-05） [Web of Scientce]
• Ultrafast all-optical switching using a frequency shift accompanied by cross-phase modulation in a semiconductor optical amplifier（2001-05）
• Penalty-free error-free all-optical data pulse regeneration at 84 Gb/s with Symmetric-Mach-Zehnder-type semiconductor regenerator（2001-03）
• 対称マッハツェンダー型全光スイッチと超高速全光信号処理（2001）
• 168-Gb/s OTDM wavelength conversion using SMZ-type all-optical switch（2000-09）
• Ultrafast 168-GHz 1.5-ps 1-fJ Symmetric-Mach-Zehnder-type all-optical semiconductor switch（2000-08）
• All-optical divided-clock extractor using an ultrafast all-optical symmetric-Mach-Zehnder-type semiconductor switch embedded in an optical loop（2000-08）
• Error-free all-optical signal regeneration and wavelength conversion at 84Gbps using Symmetric Mach-Zehnder all-optical switches（2000-07）
• Error-free all-optical data pulse regeneration at 84 Gbps and wavelength conversion at 168 Gbps with symmetric Mach-Zehnder all-optical switches（2000-07）
• Ultrafast hybrid-integrated symmetric Mach-Zehnder all-optical switch and its 168 Gbps error-free demultiplexing operation（2000-06） [Web of Scientce]
• Demultiplexing of 168-Gb/s data pulses with a hybrid-integrated symmetric Mach-Zehnder all-optical switch（2000-04） [Web of Scientce]
• 168 Gbps error-free demultiplexing with a hybrid-integrated symmetric Mach-Zehnder all-optical switch（2000-03）
• Spectral Phase-Locking in Ultrafast All-optical Mach-Zehnder-type Semiconductor Wavelength Converters（1999-11）
• Hybrid integrated symmetric Mach-Zehnder all-optical switch and its ultarafast, high extinction switching（1999-11）
• Femtosecond operation of a polarization-discriminating symmetric Mach-Zehnder all-optical switch and improvement in its high-repetition operation（1999-02） [Web of Scientce]
• 対称マッハツェンダー型全光スイッチのフェムト秒動作とその集積化（1999）
• Record low-power all-optical semiconductor switch operation at ultrafast repetition rates above the carrier cutoff frequency（1998-12） [Web of Scientce]
• Ultrafast all-optical switching based on frequency shift accompanied by the semiconductor band-filling effect（1998-12）
• Ultrafast (200-fs switching, 1.5-Tb/s demultiplexing) and high-repetition (10 GHz) operations of a polarization-discriminating symmetric Mach-Zehnder all-optical switch（1998-11） [Web of Scientce]
• New wavelength converter for picosecond RZ pulses（1998-09）
• Ultrafast (200 fs) and high-repetition (10 GHz) operations of a polarization-discriminating symmetric Mach-Zehnder all-optical switch（1998-07）
• Increased catastrophic-optical-damage output power for high-power semiconductor lasers coated with high-refractive-index films（1998-06）
• 3.8-THz wavelength conversion of picosecond pulses using a semiconductor delayed-interference signal-wavelength converter (DISC)（1998-03） [Web of Scientce]
• Femtosecond all-optical switching using efficient incoherent nonlinearity with slow relaxation（1997-08） [Web of Scientce]
• Second-order susceptibility of Ga0.5In0.5P crystals at 1.5 mu m and their feasibility for waveguide quasi-phase matching（1997-06） [Web of Scientce]
• Large phase shifts due to the chi(2) cascading nonlinearity in large walk-off and loss regimes in semiconductors and other dispersive materials（1997-05）
• Measurement of the second-order susceptibility of GaInP films at 1.5 um（1997-05）
• Measurement of the second-order susceptibility of GaInP films at 1.5 um（1996-06）
• Phase-matchable second-order susceptibility of GaInP crystals at 1.5-um（1996-01）
• High-speed light sources and detectors for giga-bit per second plastic optical fiber transmission（1995-02）
• Low-loss Bragg-reflector fundamental-transverse-mode confinement in AlGaInP red laser（1994-10）
• High temperature operating characteristics of 680 nm AlGaInP lasers with asymmetric waveguiding structure（1994-07）
• ACCELERATED AGING FOR ALGAINP VISIBLE LASER-DIODES（1994-01） [Web of Scientce]
• 30-MW 690-NM HIGH-POWER STRAINED-QUANTUM-WELL ALGAINP LASER（1993-06） [Web of Scientce]
• EFFECT OF THERMAL RESISTIVITY ON THE CATASTROPHIC OPTICAL-DAMAGE POWER-DENSITY OF ALGALNP LASER-DIODES（1993-04） [Web of Scientce]
• OSCILLATOR STRENGTH ENHANCEMENT FOR [110]-POLARIZED LIGHT IN COMPRESSIVELY STRAINED GAINP ORDERED CRYSTALS USED IN ALGAINP LASERS（1993-02） [Web of Scientce]
• 30 mW 690 nm high-power strained-quantum-well AlGaInP laser with Al2O3-coated mirror facets（1992-09）
• OBSERVATION OF STRIPE-DIRECTION DEPENDENCE OF THRESHOLD CURRENT-DENSITY FOR ALGAINP LASER-DIODES WITH CUPT-TYPE NATURAL SUPERLATTICE IN GA0.5IN0.5P ACTIVE LAYER（1992-08） [Web of Scientce]
• STABLE 30 MW OPERATION AT 50-DEGREES-C FOR STRAINED MQW AIGAINP VISIBLE LASER-DIODES（1992-04） [Web of Scientce]
• Observation of stripe-direction dependence of threshold current density for AlGaInP laser diodes with CuPt-type natural superlattice in Ga0.5In0.5P active layer（1992）
• Continuous-wave high-power (75 mW) operation of a transverse-mode stabilised window-structure 680 nm AlGaInP visible laser diode（1990-09）
• 632.7nm CW operation of AlGaInP visible laser diodes fabricated on (001) 6-degree-off toward [110] GaAs substrate（1990-09）
• Novel window-structure AlGaInP visible-light laser diodes with non-absorbing facets fabricated by utilizing GaInP natural superlattice disordering,"（1990-09）
• Novel window-structure AlGaInP visible LDs with non-absorbing facets formed by disordering of natural superlattice in GaInP active layer（1990-09）
• Nonexistence of long-range order in Ga0.5In0.5P epitaxial layers grown on (111)B and (110) GaAs substrates（1988-12）
• RESONANT RAMAN-SCATTERING IN RED-HGI2 BY POLARIZATION MODULATION SPECTROSCOPY WITH PIEZO-BIREFRINGENT MODULATOR（1988-02） [Web of Scientce]

Misc

• 超高速全光スイッチとそれを用いた全光信号処理技術の研究動向（2003-02）
• 対称マッハ・ツェンダー型全光スイッチとそれを用いた全光信号処理（2003）
• 対称マッハ・ツェンダー型全光スイッチとそれを用いた全光信号処理（2002-04）
• Ultrahigh-speed Optical Signal Processing with Symmetric-Mach-Zehnder-type All-optical Switches（2002）
• 対称マッハツェンダー型全光スイッチと超高速全光信号処理（2001）
• 対称マッハツェンダー型全光スイッチのフェムト秒動作とその光集積化（1999） [DOI] [CiNii Research (CiNii Articles)] [Othres link]
• 半導体の非線形光学効果と超高速全光スイッチ（1998-03）
• 光ディスク用低雑音高出力680nm赤色レーザ －サブGHz高周波変調対応－（1994-10） [CiNii Research (CiNii Articles)]
• 30 MW 690 NM HIGH-POWER STRAINED QUANTUM-WELL ALGAINP LASER（1992-07） [Web of Scientce]

Presentations

• Optical sensor system for dilute acetylene molecules whose specific pair of absorption lines is identified with high-resolution by weakly-wavelength-modulated optical-comb-like line components（2022-09）
• Mode-locked pulsed laser that generates pair of optical-frequency-comb-spectra at very near frequency distance for use in higher-resolution molecule sensors（2022-09）
• Molecular sensor system using wavelength modulated optical frequency comb（2022-03）
• Broadband, narrow-linewidth, optical-frequency-tunable mode-locked-pulsed optical-frequency-comb source based on strongly nonlinear semiconductor optical amp（2021-09-17）
• Molecule-sensor system in which couple of 177-GHz-spaced lines filtered from optical-frequency-comb lines probes Acetylene's identifier lines（2021-09）
• Frequency-response-measurement system containing coherent broadband optical-frequency-comb light source (BW>500 GHz) for characterizing innovative beyond-100-Gb/s transmitters（2021-03）
• Molecule-sensing scheme in which pair of distant comb-lines (delta 174 GHz) from alloptical semiconductor gate resonantly crosses acetylene-molecule's counterpart-pair of absorption lines（2020-10）
• All-optical conversion method for dramatically improving the degree of coherence of 10-GHz-spaced comb-like optical frequency components generated by adiabatically compressed soliton pulses（2020-03）
• Frequency-response-measurement system containing un-chirped optical-frequency-comb-spectrum light source (BW>500GHz) for characterizing beyond-100-Gb/s optical signal transmitters（2020-03）
• Simplifying DISC-type all-optical-converter by using polarization maintaining fiber and reflective semiconductor optical amplifier（2020-03）
• Molecule-sensor in which few narrow optical-frequency-comb-line components from all-optical semiconductor gate precisely crosses this molecule's few inherent absorption lines（2019-10）
• One-Teraherz-wide, 10-Gigaherz-spaced, mode-locked-diode-laser-induced, optical-frequency-comb-line components each of whose line-widths is inherently stabilized to that (2 MHz) of internal continuous-wave seed light (invited)（2019-09-05）
• Frequency-response-measurement system containing unchirped-comb-seed laser (BW>500 GHz) for characterizing beyond-100-GHz optical transmitters（2019-09）
• All-optical-converter method to dramatically improve otherwise-poor coherence of optical-frequency-comb spectra generated by commercially-available mode-locked silica-fiber-soliton laser（2019-09）
• Physical working model which reproduces well how all-optical-gate-based mode-locked laser's output quantum efficiency behaves with its physical parameters（2019-03）
• 1.5-um all-optical-gate-based single-cavity-mode mode-locked pulsed laser's unexpectedly small degree of tolerence to cavity-frequency detuning and its working principles（2019-03）
• All-optical-semiconductor-gate-based mode-locked pulsed laser structure for 1.3-um-wavelength band in addition to conventional ones for 1.55-um band（2019-03）
• Study of our all-optical-gate-type mode-locked laser's ring-laser-cavity configuration for modelling and then enhancing its output quantum-conversion efficiency（2018-10）
• Control scheme for otherwise slowly randomly drifting single-cavity-mode-frequency position in frequency-comb spectrum from 2-ps, 10-GHz, all-optical-gate-type mode-locked laser（2018-09）
• Control scheme for aligning SOA input signal's polarization direction to SOA's waveguide-axis direction inside picosecond, GigaHerz, all-optical-gate-type mode-locked-laser's cavity structure（2018-09）
• All-optical-gate-type mode-locked laser cavity structure that generates pairs of 2.2-THz-separated two-color 5-ps pulses precisely synchronously in principle at 10-GHz repetition frequency（2018-03）
• The cause of around-one-GHz-spaced split in the custom high-precision high-finesse etalon's transmission spectrum placed inside our 40-GHz harmonically mode-locked laser cavity（2018-03）
• 1-THz bandwidth, 10-GHz spaced optical frequency combs generated from all-optical-gate-based semiconductor mode-locked lasers.（2017-10）
• Study on all-optical-gate-based semiconductor mode-locked laser’s tolerance to each of detuning frequencies between this laser’s total four eigen-frequencies for stabilizing its single ring-cavity-mode operation.（2017-10）
• Optical-frequency-tunable, all-optical-gate-type, narrow-linewidth mode-locked laser（2017-09）
• Universality of our semiconductor-based Gigaherz-repetition few-picosecond clock-pulse source and its precise optical-frequency-comb spectrum, for use in broadband telecom and molecule-sensor systems (invited talk)（2017-07-31）
• 20世紀・21世紀のレーザー応用物理研究の躍進とその基礎科学側面（2017-06-24）
• Stability of the fundamental longitudinal-mode output from high-quality 10-GHz-repetition picosecond mode-locked diode laser with high-Finesse etalon（2017-03）
• Fundamental-longitudinal-mode operation of semiconductor-optical-amp-based 40-GHz mode-locked diode laser by observing its frequency-down-converted RF spectrum（2017-03）
• Narrow line-widths of third-order comb-components in optical-frequency-comb spectrum generated by our Giga-Herz all-optical-gate-based mode-locked pulsed laser（2016-10）
• Quality of all-optical-gate-based mode-locked laser pulses which depends on degrees of resonance between three independent eigen-frequencies（2016-09）
• Observed dependence of our mode-locked pulse laser's output waveform on the detuning ratio of externally injected sub-harmonic microwave modulation frequency by using cross-correlation.（2016-03）
• Line-width quality of each of optical comb components from our home-made, high-precision, all-optical-gate-based, 40-GHz pico-second mode-locked laser system（2015-10-29）
• Observed dependence of our Giga-Herz picosecond mode-locked pulse laser's output waveform on the detuning ratio of externally injected sub-harmonic microwave modulation frequency（2015-09-08）
• All-optical logic gates that are strongly accelerated by degenerate cw-light injection（2015-03-10）
• 100-GHz, 2-ps pulse generation from all-optical-gate-type mode-locked pulse laser（2015-03-10）
• Studies on upper limit of all-optical semiconductor gate’s cutoff frequency after optically accelerating more strongly, along with enhancing current injection rate for compensating for thus accelerated electron-hole recombination rate（2014-10-30）
• 同一波長CW光加速方式を用いた100Gb/s全光OR論理ゲートの出力特性評価（2014-09-23）
• 外部変調微弱化による全光ゲート型パルス発生器出力時間波形歪の改善（2014-09-23）
• All-optical-gate-type mode-locked few-picosecond pulsed laser with externally injected, weakly modulated optical seed（2014-03-17）
• 光半導体の高密度励起電子の誘導再結合に基づく毎秒200ギガ級全光ゲート特性研究および周波数可変な光周波数コム光源開発（2013-10-23）
• Advantages in degenerate optical-acceleration scheme for semiconductor-based all-optical gates（2013-09）
• Advantages in stabilizing two SOA-fiber complings in all-optical gate experiments with heat-compensation scheme（2013-09）
• Dependence of output waveform from all-optical-gate-type mode-locked pulse laser on its degree of external modulation（2013-03）
• Stabilized waveguide-coupling scheme under temperature control with using micro-heater chip for accelerating ultrafast all-optical semiconductor gates（2013-03）
• Ultrafast all-optical-gate-type mode-locked pulse laser without using any optical-fiber amps（2012-09）
• Dependences of dc-power consumptions in ultrafast all-optical semiconductor gates on their input-data's optical center frequencies（2012-09）
• Filter-profile designs for semiconductor-based spectrum-synthesizer-type all-optical gates in optical-acceleration scheme（2012-03）
• Dependence of semiconductor all-optical gate's dc power consumptions on input-data's wavelength（2012-03）
• Ultrafast all-optical-gate-type mode-locked pulse laser without using any optical-fiber amps（2012-03）
• Energy consumption levels in 300-Gb/s-class signal processors（2011-12）
• Crude future vision of 300-GHz optical micro-processor units（2011-11）
• Optical-signal-processing devices research for optical-communication and computation systems（2011-10）
• Optical-signal-processing devices research for optical-communication and computation systems.（2011-09）
• Optoelectronics-and-photonics engineering research projects, for international-level students (MsC and DC) in National University of Electro-Communications, and, for international industry.（2011-09）
• 2-ps, 10-GHz mode-locked laser with semiconductor optical amp, ring cavity, and sinusoidally modulated light injection（2011-08）
• Improvement of output pulse waveforms in all-optical-gate-type pulse generator with external modulation（2011-08）
• Crude future vision of 300-GHz optical micro-processor unit（2011-08）
• 光スイッチ（2011-03）
• 100-Gb/s all-optical OR gate utilizing optical acceleration with cw light whose wavelength matches to that of input-data signal（2011-03）
• All-optical-gate-type pulse generator with external modulation（2011-03）
• Crude future vision of 300-GHz optical micro-processor units（2010-12）
• Molecule-sensing scheme in which pair of distant comb-lines (delta 174 GHz) from all optical semiconductor gate resonantly crosses acetylene-molecule's counterpart-pair of absorption lines（2010-10）
• Degree of optical acceleration in all-optical gate with cw light whose wavelength matches to that of input-data signal（2010-10）
• cw laser light source with three-cascaded etalons for characterizing broad-band nonlinear complex-refractive-index modulations in ultrafast semiconductor optical amps（2010-10）
• Crude future vision of 300-GHz optical micro-processor units（2010-10）
• Roadmap of ultrafast energy-saving optical semiconductor devices to Year 2025 (invited talk)（2010-09）
• cw laser light source with three-cascaded etalons for characterizing broad-band complex refractive indexes of semiconductor optical amps（2010-09）
• Degree of optical acceleration in all-optical gate with cw light whose wavelength matches to that of input-data signal（2010-09）
• 今後の高速・省エネ光半導体デバイス（2010-07）
• 西暦2025年の高速・省エネ光半導体デバイス（2010-03）
• Photonics Research in National Univ. of Electro-Communcations (UEC)（2010-03）
• Ultrafast distortion-free semiconductor-based all-optical gate that contains optical-spectrum's phase-and-amplitude synthesizer（2009-12）
• Ultrafast distortion-free semiconductor-based all-optical gate that contains optical-spectrum's phase-and-amplitude synthesizer（2009-10）
• 高速全光ゲートの第２時定数誘起波形歪を取り除く独自方式の実験検証（2009-09）
• 1.3-μ帯バルク型半導体光導波路における光位相・光強度変調量の波長依存性（2009-05）
• Ultrafast, low-energy-consumption, semiconductor-based, all-optical gate devices (invited talk)（2009-04）
• Fundamental research of 300-Gb/s-class, semiconductor-based all-optical gate scheme which contains complex-amplitude spectrum synthesizer（2008-12）
• Experimental research of a 300-Gb/s-class, semiconductor-based all-optical gate which contains an optical-spectrum’s amplitude-and-phase synthesizer（2008-10）
• Physical factors that define the preciseness required in our original, semiconductor-laser cavity scheme for generating 5-picosecond, 40-GHz, optical clock pulses（2008-10）
• Recent trends in the 200-Gb/s-class, 10-pJ/bit, compact, all-optical semiconductor gate devices research（2008-10）
• 超高速半導体光ゲート研究の進展と将来展望（2008-09）
• 非線形偏光回転を利用したDISC型半導体全光ゲートでの200Gb/s波長変換（2008-09）
• Recent research activities in our Ultrafast Optical Logic Laboratory in National Univ. of Electro-Communications, Tokyo（2008-05）
• 「エネルギー使用合理化技術戦略的開発／エネルギー有効利用基盤技術先導研究開発／超低エネルギー・超高速光蓄積デバイス技術の研究開発(平成17～19年度）」成果報告書（筑波大学、産業技術総合研究所、電気通信大学、日本電気株）（2008-05）
• 半導体全光ゲートを利用する受動的モードロックパルス発生器の単一縦モード発振達成（2008-03）
• 超高速光ゲート型パルス発生器のCW発振防止条件のモデル化（2008-03）
• 超高速光通信デバイスの動作速度と消費電力概論（2007-12）
• Strongly accelerated nonlinear-optical responses of quantum dots embedded in semiconductor photonic-crystal waveguides（2007-12）
• Semiconductor-based all-optical wavelength conversion with long-pattern 200-Gb/s waveform monitoring technique（2007-12）
• Semiconductor mode-locked pulse generator with intra-cavity high-finesse etalon（2007-12）
• Picosecond-class nonlinear refractive-index recoveries in quantum-dot waveguides measured with a heterodyne pump-and-probe technique（2007-12）
• 半導体導波路素子に基づく超高速全光ゲートとその応用研究（2007-12）
• 半導体光増幅器内の量子効率とそれを考慮した超高速全光ゲートの消費電力モデル（2007-12）
• 「フォトニックネットワーク技術の開発(平成14～18年度)」事後評価報告書（2007-11）
• Response characterization of integrated nano-structured semiconductor waveguides aiming at 40-Gb/s optical memories（2007-09）
• 160-GHz-class optical-clock circuit with semiconductor optical amplifiers（2007-09）
• Trends in 160-Gb/s OTDM materials and circuits research and our on-going research activities in UEC（2007-09）
• SOA内の量子効率を考慮した超高速全光ゲートの消費電力モデル（2007-09）
• Criterion for removing a delayed peak from the nonlinear response of photonic crystal/quantum dot waveguides（2007-09）
• Our circuits-and-materials research activities for use in OTDM network systems that will start from 160 Gb/s（2007-09）
• 超高速全光ゲート動作中の半導体光増幅器内部の電子－光子変換効率（2006-12）
• Expanded-DISC方式による超高速波長変換の理論設計（2006-12）
• DISC型半導体全光変換器を利用した40GHz, 2psモードロックパルス発生（2006-12）
• Injected-carrier-to-photon quantum conversion efficiencies inside the picosecond-class all-optical semiconductor gates（2006-08）
• 超高速全光ゲート動作中の半導体光増幅器内部の電子－光子変換効率（2006-08）
• SOA-XPMスペクトル合成方式による超高速波長変換の理論設計（2006-08）
• 40-GHz mode-locked pulse generation with a new scheme of SOA-based pulse generators（2006-06）
• 40-GHz mode-locked pulse generation with a new scheme of SOA-based pulse generators（2006-05）
• トータル光通信技術の研究開発、平成17年度委託研究最終成果報告書（2006-04）
• サブテラヘルツ周波数の光論理ゲートの基礎研究（基盤研究(B)）、平成15年度-平成17年度科学研究費補助金研究成果報告書（2006-04）
• 半導体全光偏光変換器を用いた40GHzクロックパルス発生（2006-03）
• 半導体DISC-Loop型光パルス発生器内部の全光変換透過特性の設計解析 (2)（2006-03）
• New method for characterizing the injected-carrier-to-photon conversion efficiencies inside the ultrafast all-optical semiconductor gates（2006-01）
• Modeling of the ultrafast optical-3R gate with semiconductor-based interferometric circuit structure（2006-01）
• Injected-carrier-to-photon conversion efficiencies in semiconductor optical amplifiers（2006-01）
• 40-GHz mode-locked clock pulse source with SOA-based all-optical polarization converter（2006-01）
• Optical signal processing research in UEC（2006-01）
• 高速半導体全光ゲートを応用した新しいモードロック光パルス発生方式（2005-12）
• DISC型全光偏光変換器を利用した40GHz, 5psモードロックパルス発生（2005-12）
• 超高速全光半導体ゲート内部の注入キャリア-光子変換効率の新しい評価方法（2005-12）
• 半導体DISC-Loop型高周波パルス発生器に利用する高速偏光変換器のパルス透過率（2005-09）
• 超高速全光ゲートに利用する半導体光増幅器の注入キャリア利用効率評価方法の提案（2005-09）
• Theoretical models of the SOA-based SMZ-type optical-3R gates (invited)（2005-08）
• Ultrahigh-frequency mode-locked pulse generation with an all-optical semiconductor gate（2005-07）
• トータル光通信技術の研究開発、平成16年度委託研究成果報告書（2005-04）
• SMZ型光3Rゲートの光強度雑音抑制力とジッター抑制力の理論設計（招待講演）（2005-03）
• 超高速PDSMZ型半導体光3Rゲートが備える光雑音抑制力の入力信号タイミング耐性（2005-03）
• DISC-Loop型パルス発生器のパルス発生閾値条件（2005-03）
• DISC型全光波長変換器から発生する微小サブパルスの検出（2005-03）
• Outlook in 10-20 years (invited)（2005-03）
• 全光ゲートを応用した高周波光パルス発生器（2004-12）
• 超高速40Gb/s光3Rゲートの光強度雑音抑制作用（2004-10）
• PDSMZ型半導体光3Rゲートの光強度雑音抑制力の理論設計（2004-09）
• トータル光通信技術の研究開発、平成15年度委託研究成果報告書（2004-04）
• PDSMZ型光3Rゲート性能の理論解析（2004-03）
• SMZ型 光3Rゲートのランダムジッタ抑制作用と出力波長チャープ特性（2004-03）
• 全光ゲートを応用した高周波光パルス発生器（2003-12）
• All-optical signal processing for over-100-Gb/s optical TDM networks (Invited)（2003-10）
• 半導体光アンプを利用する超高速光3Rゲート性能の理論解析（2003-08）
• DISC型超高速波長変換器内部の光位相シフト非対称性の理論予測（2003-08）
• Theoretical reproduction of the 3R regenerative properties in an ultrafast all-optical symmetric-Mach-Zehnder gate（2003-07）
• Ultrafast optical demultiplexing, regeneration, and wavelength conversion with symmetric-Mach-Zehnder all-optical switches (Invited paper)（2003-03）
• Ultrafast optical signal processing with symmetric-Mach-Zehnder-type all-optical switches（2003）
• Semiconductor integrated Mach-Zehnder all-optical switches and ultrafast all-optical signal processing（2003）
• Ultrafast SOA-based SMZ-type all-optical regenerators and wavelength converters (Invited)（2002-09）
• SMZ型超高速半導体全光スイッチの干渉位相バイアス制御方式の提案と実証（2002-09）
• 半導体光アンプの非線形位相シフト測定法の提案と40-160GHz超高周波特性解析（2002-09）
• 対称マッハツェンダ型全光スイッチの位相バイアス制御方式（2002-09）
• Ultrahigh-speed optical processing with SOA-based Symmetric-Mach-Zehnder-type all-optical switches (Invited)（2002-07）
• 336-Gbps error-free demultiplexing with a hybrid-integrated Symmetric Mach-Zehnder all-optical switch（2002-06）
• 対称マッハ・ツェンダ全光スイッチによる超高速信号処理(招待講演)（2002-03）
• 位相調整機能付SMZ全光スイッチの開発（2002-03）
• 対称マッハツェンダー型全光スイッチと超高速光信号処理（2001-12）
• 超高速半導体全光スイッチ（2001-10）
• Ultrahigh-speed data regeneration and wavelength conversion for OTDM systems (Invited)（2001-09）
• SMZ-DISC型全光波長変換器を内包する光パルス発生器の 5-ps 10-GHzパルス発生（2001-09）
• Error-free demultiplexing at 252 Gbps with hybrid-integrated symmetric Mach-Zehnder all-optical switch（2001-06）
• Ultrafast wavelength conversion and data pulse regeneration with Symmetric-Mach-Zehnder all-optical switches（2001-06）
• 対称マッハツェンダー型全光スイッチの84Gb/s信号再生動 作（2001-03）
• Ultrafast Demultiplexing and Bit-Wise Logic Operation using Symmetric Mach-Zehnder All-optical Switches (Invited)（2000-08）
• Ultrafast demultiplexing and bit-wise digital operation with Symmetric Mach-Zehnder all-optical switch (Invited)（2000-07）
• Ultra-high-speed all-optical switching using semiconductor optical amplifiers (Invited)（2000-07）
• 168-Gb/s 1.5-ps logic operation of an all-optical SMZ-type switch（2000-06）
• Error-free 168-Gbps demultiplexing with a hybrid-integrated Symmetric Mach-Zehnder all-optical switch（2000-06）
• 対称マッハツェンダー型全光スイッチの168-GHz 1.5-ps 1-fJ周期スイッチ動作（2000-03）
• 超高速全光半導体波長変換器のスペクトル位相同期特性（1999-09）
• 光パケット圧縮伸張技術を用いた通信ノード方式の検討(3) ?パケット伸張装置-（1999-09）
• Symmetric-Mach-Zehnder all-optical semiconductor switch operation at 42-GHz repetition rate above the carrier's cutoff frequency（1999-07）
• Femtosecond switching with semiconductor optical amplifier-based symmetric Mach-Zehnder all-optical switch（1999-07）
• Photonically integrated ultrafast symmetric Mach-Zehnder all-optical switch using planer lightwave circuit technology（1999-07）
• 対称マッハツェンダー型全光スイッチの繰返し周波数限界の克服と42-GHz動作の実証（1999-03）
• 高屈折率膜端面コーティングによる短波長半導体レーザの高出力化の提案（1999-03）
• 遅延干渉型波長変換器(DISC)の12-fJ・18-GHz繰返し動作（1998-03）
• Ultrafast (200 fs) and high-repetition (10 GHz) operations of symmetric Mach-Zehnder all-optical switch（1998）
• Ultrafast all-optical devices with switching speed unrestricted by highly efficient but slow incoherent nonlinearities（1997-11）
• 遅延干渉型波長変換器の2.8THz波長変換の実証（1997-10）
• chi(2)カスケード型非線形効果によるウォークオフ時の位相シフト（1997-03）
• スペクトルホールバーニング解消に伴うバンドフィリング屈折率変化の増大（1997-03）
• Femtosecond switching capability of symmetric Mach-Zehnder all-optical switch（1997-02）
• Effect of spectral hole burning on symmetric Mach-Zehnder all-optical switch（1997-02）
• 1.5um波長帯におけるGaInP自然超格子の2次非線形光学テンソルと位相整合（1996-09）
• Low-noise high-power 680-nm AlGaInP laser with sub-GHz frequency response (Best Paper Awarded)（1994-07）
• 歪GaInPの光学遷移振動子強度の増大（1993-03）
• 歪MQW高出力可視光半導体レーザ（1992-03）
• High-power visible laser diodes (Invited)（1991-05）
• 高出力ウィンドウ構造AlGaInP可視光半導体レーザ(II)： CW発振特性（1990-09）
• 自然超格子の無秩序化を用いたウィンドウ構造高出力可視光AlGaInPレーザ（1990-03）
• red-HgI2における共鳴ラマン散乱の偏光解消（1987-03）
• 偏光変調分光法によるred-HgI2のラマンとルミネッセンス（1986-09）
• red-HgI2における共鳴ラマン散乱（1986-03）

Books and Other Publications

Works

Research Projects

Media Coverage

Industrial Property Rights

• Method and system for all-optical signal regeneration（US Pat 7,010,235）
• 半導体レーザ（3,522,107）
• 波長変換器及び波長変換方法（3,439,345）
• 全光スイッチ及び波長変換器（3,391,267）
• Wavelength converter（US Pat 6,498,675）
• 光パルス発生装置及びそれを用いた光クロック抽出装置と光クロック分周装置と光クロック抽出分周装置（3,314,772）
• All-optical switch and wavelength converter（US Pat 6,337,762）
• Optical pulse generating apparatus and optical signal apparatus using the same（US Pat Appl 20010053008）
• Wavelength converter and wavelength conversion method（US Pat 6,323,992,US Pat 6,323,992）
• Wavelength converter（US Pat Appl 20010019447,US Pat Appl 20010019447）
• Semiconductor laser and method of manufacturing same（US Pat 6,285,700,US Pat 6,285,700）
• Wavelength Converter（US Pat 6,282,015,US Pat 6,282,015）
• Wavelength converter（US Pat 6,208,455,US Pat 6,208,455）
• 光スイッチ（3,075,199）
• 半導体光アンプ（2,995,972）
• 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法（2,990,009）
• 半導体レーザ（2,932,709）
• Semiconductor laser（US Pat 5,894,491,US Pat 5,894,491）
• 面発光半導体レーザ及びその製造方法（2,880,788）
• 波長変換器（2,868,084）
• 半導体レーザおよびその製造方法（2,841,535）
• Semiconductor optical switch and wavelength converter（US Pat 5,815,628,US Pat 5,815,628）
• 半導体レーザ（2,817,174）
• 半導体レーザ（2,814,943）
• 半導体レーザ（2,757,913）
• 半導体レーザ（2,674,381）
• 半導体レーザ（2,674,382）
• 半導体レーザ（2,581,429）
• 半導体レーザ（2,546,127）
• 半導体レーザの製造方法（特公平08-034335）
• Semiconductor laser（US Pat 5,448,584,US Pat 5,448,584）
• Semiconductor laser（EU Pat 0,528,439,EU Pat 0,528,439）
• Semiconductor laser（US Pat 5,309,466,US Pat 5,309,466）
• Semiconductor laser（US Pat 5,151,913,US Pat 5,151,913）

Professional Memberships

• Institute of Electronics, Information, and Communication Engineers (IEICE)
• Japan Society of Applied Physics (JSAP)
• IEEE, Photonics Society
• Japan Society of Applied Physics
• IEEE/LEOS
• Optical Society of America (OSA)

Committee Memberships

Teaching Experience

Social Contribution

Academic Contribution