学位

• 工学修士（早稲田大学）
• 博士(工学)（カルフォルニア大学バークレー校　大学院　材料科学専攻）
• Doctor of Philosophy in Engineering（Department of Materials Science, University of California, Berkeley）

経歴

学歴

受賞

その他

論文

• Growth and characterization of n-type Ga2O3 films on sapphire substrates by APMOVPE（2025-01） [DOI]
• Fabrication and characterization of an AlGaN light emitting diode with Al-doped ZnO as a current spreading tunnel junction layer（2023-09-01） [DOI] [Othres link]
• Fabrication and optical characterization of GaN micro-disk cavities undercut by laser-assisted photo-electrochemical etching（2023-02-14） [DOI] [Othres link] [Othres link]
• Mode analysis of GaN two-dimensional photonic crystal nanocavities undercut by photo-electrochemical etching（2023-02-09） [DOI] [Othres link] [Othres link]
• Deep level characterization improved by Laplace charge transient spectroscopy（2018-02）
• Development of Laser Lift-off Process with a GaN/Al0.7Ga0.3N Strained-Layer Superlattice for Vertical UVC LED Fabrication（2017-04-01）
• ZnO-nanorods: A Possible White LED Phosphor（2017） [DOI] [Web of Scientce]
• Growth mechanism of single-crystalline NiO thin films grown by metal organic chemical vapor（2016-10） [DOI] [Web of Scientce]
• InGaP/GaAs heterojunction photosensor powered by an on-chip GaAs solar cell for energy harvesting（2016-03-16） [DOI] [Web of Scientce] [CiNii Research (CiNii Articles)]
• Effects of Electrical Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor（2015-12） [DOI] [Web of Scientce]
• Effects of electrical stress on the InGaP/GaAs heterojunction phototransistors（2015-12）
• Low-temperature formation of high-quality gate oxide by ultraviolet irradiation on spin-on-glass（2015-11） [DOI] [Web of Scientce]
• Visible-blind ultraviolet photodiode fabricated by UVoxidation of metallic zinc on p-Si（2015-09） [DOI] [Web of Scientce]
• Structural, electrical, and optical properties of CoxNi1-xO films grown by metalorganic chemical vapor deposition（2015-03） [DOI] [Web of Scientce]
• New Task and Ambient Lighting System with Dual Light Distributions（2015） [Web of Scientce]
• Effects of Electrical Stress and High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor（2015）
• NiO/Si heterostructures formed by UV oxidation of nickel deposited on Si substrates（2014-05） [DOI] [Web of Scientce]
• High-quality gate oxide formed at 150 °c for flexible electronics（2014） [DOI] [Web of Scientce]
• Hydrothermal growth of zinc oxide nanorods and glucose-sensor application（2013-12）
• Highly p-typed superlattices consist of undoped InAs and carbon-doped GaAs layers（2013-05-01） [DOI] [Web of Scientce]
• Characterization of partially ordered GaInP/GaAs heterointerfaces by the quantum Hall effect（2013-05-01） [DOI] [Web of Scientce]
• Selective growth of ZnO nanorods by the hydrothermal technique（2013-03） [DOI] [Web of Scientce]
• E-1/E-2 traps in 6H-SiC studied with Laplace deep level transient spectroscopy（2013-01） [DOI] [Web of Scientce]
• InGaP/GaAsヘテロ接合フォトトランジスタの温度特性（2013） [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books] [Othres link]
• Effect of O2/Ni ratio on structure and surface morphology of atmospheric pressure MOCVD grown NiO thin films（2013） [DOI]
• Fabrication of a p-NiO/n-Si heterojunction diode by UV oxidation of Ni deposited on n-Si（2013） [DOI]
• Intense ultraviolet photoluminescence observed at room temperature from NiO nano porous thin films grown by the hydrothermal technique（2013） [DOI]
• Synthesis, properties and applications of germanium nanocrystals（2012-01-01）
• High-quality single crystalline NiO with twin phases grown on sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy（2012） [DOI] [Web of Scientce]
• Defects in an Electron-Irradiated 6H-SiC Diode Studied by Alpha Particle Induced Charge Transient Spectroscopy: Their Impact on the Degraded Charge Collection Efficiency（2012） [DOI] [Web of Scientce]
• Single-Alpha-Particle-Induced Charge Transient Spectroscopy of the 6H-SiC p(+)n Diode Irradiated With High-Energy Electrons（2011-12） [DOI] [Web of Scientce]
• Transient Analysis of an Extended Drift Region in a 6H-SiC Diode Formed by a Single Alpha Particle Strike and Its Contribution to the Increased Charge Collection（2011-02） [DOI] [Web of Scientce]
• In situ CBrCl3 etching to control size and density of InAs/GaAs quantum dots（2011-01） [DOI] [Web of Scientce]
• Compensation-dependent carrier transport of Al-doped p-type 4H-SiC（2011） [DOI]
• Improvement of high-power-white-LED lamp performance by liquid injection（2011） [DOI]
• Comparative Study on Reliability of InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors with Highly Zn- and C-Doped Base Layers（2010） [DOI] [Web of Scientce]
• Charge Collection Efficiency of 6H-SiC P+N Diodes Degraded by Low-Energy Electron Irradiation（2010） [DOI] [Web of Scientce]
• Comparative Study on Reliability of InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors with Highly Zn- and C-Doped Base Layers（2010） [DOI] [Web of Scientce]
• Compensation-dependent carrier transport of Al-doped p-type 4H-SiC（2010）
• Characterization of MOVPE-grown p-InGaAs/n-InP interfaces（2009-07） [DOI] [Web of Scientce]
• High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder: Application to MOSFET’s on plastic substrates and GaN epilayers（2009）
• High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder: Application to MOSFET’s on plastic substrates and GaN epilayers（2009-01）
• InGaP/GaAs HETEROINTERFACES STUDIED BY CROSS-SECTIONAL SCANNING TUNNELING MICROSCOPY AND THEIR IMPACT ON THE DEVICE CHARACTERISTICS（2009） [Web of Scientce]
• Photoluminescence of Si nanocrystals formed by the photosynthesis（2008-11） [DOI] [Web of Scientce]
• Growth and optical properties of SnO2 ultra-small nanorods by the novel micelle technique（2008）
• Photo-modification and synthesis of semiconductor nanocrystals（2007-07） [DOI] [Web of Scientce]
• Yellowish-white photoluminescence from ZnO nanoparticles doped with Al and Li（2007-07） [DOI] [Web of Scientce]
• Mechanically strong ultralow-k nanoporous silica made of SiOx nanoparticles（2007） [Web of Scientce]
• Correlation between the base-emitter interface crystalline quality and the current gain in InGaP/GaAs HBTs grown by MOVPE（2006-11） [DOI] [Web of Scientce]
• Selective formation of size-controlled silicon nanocrystals by photosynthesis in SiO nanoparticle thin film（2006-11） [DOI] [Web of Scientce]
• Passivation of InP-based HBTs（2006-05）
• Position and size-controlled photosynthesis of silicon nanocrystals in SiO2 films（2006） [Web of Scientce]
• Synthesis, properties and applications of germanium nanocrystals（2006） [Web of Scientce]
• Low-temperature formation of high-quality SiOx thin films by evaporation of SiO nanopowder（2006）
• Material Issues in high-frequency GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors（2005-12）
• Self-limited photo-assisted synthesis of silicon nanocrystals（2005） [Web of Scientce]
• Self-limited photo-assisted synthesis of silicon nanocrystals（2005） [Web of Scientce]
• Low temperature photoluminescence of GaAs/GaInP heterostructures measured under hydrostatic pressure（2005） [Web of Scientce]
• Excitation and pressure effects on low temperature photoluminescence from GaAs/GaInP heterostructures（2004-11） [DOI] [Web of Scientce]
• Fabrication of nanostructured palladium-doped SiO2 films with variable temperature coefficient of resistivity（2004-11） [DOI] [Web of Scientce]
• Growth and characterization of p-type InGaAs on InP substrates by LP-MOVPE using a new carbon-dopant source, CBrCl3（2004-10）
• Real-time measurement of rocking curves during MOVPE growth of GaxIn 1− xP/GaAs（2003-06） [DOI] [Web of Scientce]
• Heavily carbon doping of GaAs by MOVPE using a newdopant source CBrCl3 and characterization of the epilayers（2003-03）
• Metal organic vapor phase epitaxial growth of heavily carbon-doped GaAs using a dopant source of CCl3Br and quantitative analysis of the compensation mechanism in the epilayers（2003-02） [DOI] [Web of Scientce]
• Photoluminescence Studies of GaAs/partially ordered GaInP quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy（2003-01）
• A photo-oxidation generated low-k dielectric film deposited by reactive evaporation of SiO（2002-04） [Web of Scientce]
• Real-time observation of surface morphology of indium phosphide MOVPE growth with using X-ray reflectivity technique（2002-04） [Web of Scientce]
• Real-time observation of step-flow limited metal organic vapor phase epitaxial growth of InP and their characteristics（2002） [Web of Scientce]
• Ultralow k nanoporous silica by oxidation of silicon nanoparticles（2002） [Web of Scientce]
• Real-time observation of surface morphology at nanometer scale using x-ray specular reflection（2002）
• Capacitance-Voltage (C-V) hysteresis in the Metal-Oxide-Semiconductor capacitor with Si nanocrystals deposited by the gas evaporation technique（2002） [Web of Scientce]
• Correlation between the dielectric constant and porosity of nanoporous silica thin films deposited by the gas evaporation technique（2001-11） [Web of Scientce]
• Spectroscopic study of partially ordered semiconductor heterojunction under high pressure and high magnetic field（2001-10） [Web of Scientce]
• In-situ study of growth mode by reflection of synchrotron x-ray during the metal organic vapor phase epitaxial growth of InP（共著）（2001-07）
• Raman scattering studies of the ZnSe/GaAs interface（2001） [DOI]
• Wurtzite silicon nanocrystals deposited by the cluster-beam evaporation technique（2001-01） [Web of Scientce]
• High pressure photoluminescence study of the GaAs/partially ordered GaInP interface（2001-01） [Web of Scientce]
• Study on pressure working time and releasing rate for phase transformation of Ge（2001-01） [Web of Scientce]
• A study of the GaAs/partially ordered GaInP interface（2001） [Web of Scientce]
• Formation of Ge nanocrystals passivated with Si by gas evaporation of Si and Ge（2000-11）
• Influence of short-range ordering on roughness of (AlGa)As interfaces studied with cross-sectional scanning tunneling microscopy（2000-06） [Web of Scientce]
• High-pressure study of deep emission band at GaAs/partially ordered GaInP interface（2000-05） [Web of Scientce]
• An analysis of temperature dependent piezoelectric Franz–Keldysh effect in AlGaN（2000-02） [Web of Scientce]
• Ultralow KSiO2 thin films with nano-voids by gas-evaporation technique（2000） [Web of Scientce]
• Selective excitation and thermal quenching of the yellow luminescence of GaN（1999-11） [Web of Scientce]
• 自然超格子を有するGaInP/GaAsヘテロ構造におけるホトルミネッセンス・アップコンバージョンの高圧及び高磁場を用いた研究（1999-07） [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books] [Othres link]
• Nanometer size determination of type-II domains in CuPt-ordered GaInP2 with high-pressure magneto-luminescence（1999-07） [Web of Scientce]
• Short-range ordering in AlxGa1−xAs grown with metal-organic vapor-phase epitaxy（1999-04） [Web of Scientce]
• Pressure dependence of photoluminescence in GaAs/partially ordered GaInP interface（1999-02） [Web of Scientce]
• Time-resolved photoluminescence study of GaAs ordered GaInP interface under high pressure（1999-01） [Web of Scientce]
• GaAs/（ordered）GaInP2 Heterostructures under Pressures and High Magnetic Fields（1999-01） [Web of Scientce]
• Temperature dependent of piezoelectric effect in GaN（1999）
• Piezoelectric Franz-Keldysh effect in a GaN/InGaN/AlGaN multilayer structure（1999） [Web of Scientce]
• Folding of X-point phonons and conduction-band valleys in partially CuPt-ordered Ga0.52In0.48P grown on GaAs（1998-11） [Web of Scientce]
• Optical studies of GaInP(ordered)/GaAs and GaInP(ordered)/GaP/GaAs heterostructures（1998-09） [Web of Scientce]
• An analysis of temperature dependent photoluminescence line shapes in InGaN（1998-09） [Web of Scientce]
• The study of piezoelectric effect in wurtzite GaN/InGaN/AlGaN multilayer structures（1998-06） [Web of Scientce]
• Phonon-assisted photoliminescence in wurtzite GaN epilayer（1998-06）
• Electron confinement in（Ordered）GaInP2/GaP/GaAs/（Ordered）GaInP2 single quantum well（1998-06） [Web of Scientce]
• Ordering in ternary compound semiconductors studied with cross-sectional scanning tunneling microscopy（1998-03） [Web of Scientce]
• Pressure dependence of photoluminescence in GaAs/ordered GaInP interface（1998）
• Investigation of phonon-assisted photoluminescence in wurtzite GaN epilayer（1998） [Web of Scientce]
• GaN room temperature exciton spectra by photovoltaic measurement（1998） [Web of Scientce]
• High pressure studies of quantum well emission and deep emission in GaInP（ordered）-GaAs heterostructures（1998） [Web of Scientce]
• A study of band alignment in GaAs/GaInP（Partially ordered）heterostructureswith high pressure（1998） [Web of Scientce]
• High-Pressure Study of Deep Emission Band at GaInP/GaAs Interface（1998） [DOI]
• Pressure Dependence of Time-Resolved Photoluminescence in Ordered Ga0.5In0.5P（1998） [DOI]
• Phonon-assisted photoluminescence in wurtzite GaN epilayer（1998）
• GaN exciton photovoltaic spectra at room temperature（1997-10） [Web of Scientce]
• Band alignments in GaInP/GaP/GaAs/GaP/GaInP quantum wells（1997-08） [Web of Scientce]
• Band alignment and photoluminescence up-conversion at the GaAs/(ordered)GaInP2 heterojunction（1997-05） [Web of Scientce]
• PL spectra of InGaN film grown by MOCVD system with three laminar flow injection reactor（1997） [Web of Scientce]
• Deep emission band at GaInP/GaAs interface（1997-01） [Web of Scientce]
• III-V nitrides growth by atmospheric-pressure MOVPE with a three layered flow channel（1997） [Web of Scientce]
• Time-resolved photoluminescence study of ordered Ga0.5In0.5P under high pressure（1996-11） [Web of Scientce]
• Mechanisms of photoluminescence upconversion at the GaAs/(ordered) GaInP2 interface（1996-09） [Web of Scientce]
• Magnetic field dependence of up-converted photoluminescence in partially ordered GaInP2/GaAs up to 23 T（1996）
• Upconversion of near GaAs bandgap photons to GaInP2 emission at the GaAs/(ordered) GaInP2 heterointerface（1996）
• The formation of radiative defects at GaAs/GaInP interface（1996） [Web of Scientce]
• Raman and photoluminescence studies on atmospheric pressure MOVPE grown GaN on sapphire substrates（1996）
• COMPARATIVE-STUDY OF PHOTOLUMINESCENCE IN ORDERED AND DISORDERED GAINP ALLOYS UNDER HIGH-PRESSURE（1995-03） [Web of Scientce]
• Control of defects in GaAs/GaInP interface grown by MOVPE（1995） [Web of Scientce]
• Raman spectroscopy study on order disordered Ga0.52In0.48P on GaAs grown by MOVPE（1995） [Web of Scientce]
• COMPARISON BETWEEN PHOTOLUMINESCENCE AND RAMAN-SCATTERING IN DISORDERED AND ORDERED ALLOYS IN GAINP（1994-09） [Web of Scientce]
• ENERGY OF X CONDUCTION BAND MINIMA IN DISORDERED AND ORDERED GaInP2 ALLOYS（1994-08）
• Pressure-induced Γ-X crossover in the conduction band of ordered and disordered Galnp alloys（1994-05） [Web of Scientce]
• HYDROSTATIC-PRESSURE DEPENDENCE OF EG-100 MEV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS IN N-TYPE ALGAAS（1993） [Web of Scientce]
• PHOTOLUMINESCENCE OF DEEP LEVELS INDUCED BY SUP-PPM H2O IN ALGAAS GROWN BY MOVPE（1991-12） [Web of Scientce]
• ANISOTROPY IN THE DOPING CHARACTERISTICS OF DIMETHYLCADMIUM IN GAAS GROWN BY MOVPE ON (100) GAAS（1990-01） [Web of Scientce]
• THE EFFECTS OF GROWTH TEMPERATURE ON THE DIMETHYL-CD DOPING OF GAAS BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY - EVIDENCE OF IMPURITY-INDUCED NUCLEATION OF TWO-DIMENSIONAL CLUSTERS（1989-05） [Web of Scientce]
• The effects of growth temperature on the dimethyl-Cd doping of GaAs by MOCVD（1989）
• MOCVD GROWTH AND CHARACTERIZATION OF GAAS AND GAP GROWN ON SI SUBSTRATES（1988-11） [Web of Scientce]
• QUALITY IMPROVEMENT OF METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION GROWN GAP ON SI BY ASH3 PREFLOW（1988-09） [Web of Scientce]
• High quality Gap growth on Si sudstrates by MOCVD（1988）

その他業績

講演・口頭発表等

• Fabrication and optical characterization of GaN microdisk cavities undercut by laser-assisted photo-electrochemical etching（2022-09-28）
• TEGaと酸素ガスを用いた大気圧MOVPEによるβ-Ga2O3薄膜の結晶成長（2022-09-23）
• マイクロマニピュレーション法によるGaNスラブ型光ナノ構造の積層（2022-09-22）
• 二段階光電気化学エッチングによるGaN二次元フォトニック結晶共振器の作製と光学評価（2022-09-21）
• トンネル接合形成を目的としたZnO付加によるAlGaN LEDの発光特性への影響（2022-03-24）
• レーザアシスト光電気化学エッチングによる GaNマイクロディスク共振器の作製と光学評価（2021-09-13）
• Fabrication and characterization of AlGaN p-n diode with n-ZnO as a tunnel junction layer（2021-09-08）
• Fabrication of deeply undercut GaN micro-disks by selective photo-electrochemical etching of thick InGaN/GaN superlattice（2021-09-08）
• 厚膜InGaN系犠牲層の光電気化学エッチングによる中空GaNマイクロディスク構造の作製（2021-03-17）
• p型コンタクト層にn-ZnO層を接合したAlGaN系pnダイオードのEL特性評価（2021-03-16）
• 正孔注入促進に向けたp-AlGaN/n-ZnOトンネル接合のバンド構造解析（2021-03-16）
• 紫波長帯にフォトニックバンドギャップを有する窒化ガリウム二次元フォトニック結晶スラブの設計（2020-09-11）
• p型コンタクト層にn-ZnOトンネル層を有するAlGaN系pnダイオードの作製及び電気的評価（2020-09-10）
• InGaP/GaAs heterointerfaces studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy and their impact on the device characteristics（2009）
• 水熱法によるZnOナノロッドの作製（2007-03）
• 酸化銅ナノロッドの太陽電池への応用（2007-03）
• InP/InGaAs HBTデバイスに向けたp型InGaAs層の作製及び、TCADによる評価（2007-03）
• SiO nanopowder with metastable Si-Si networks（2006-12）
• Mechanically strong ultralow-k nanoporous silica made of SiOx nanoparticles（2006-12）
• Bi添加SiOによるワイドギャップ半導体の作製（2006-11）
• Ni酸化物の物性評価とp-GaNオーミックコンタクトへの応用（2006-11）
• Mechanically strong ultralow-k nanoporous silica made of SiOx nanoparticles（2006-10）
• 走査型トンネル顕微鏡によるGaInP/GaAsへテロ界面の粗さ解析（2006-09）
• Mechanically strong ultralow-k nanoporous silica made of SiOx nanoparticles（2006-09）
• Yellowish-white photoluminescence from ZnO nanoparticles（2006-05）
• 自然超格子を有するInGaP/GaAs HBTへテロ接合界面におけるバンド不連続の研究（2006-03）
• 表面プラズモン効果を用いたラマン分光法による低密度のGe超微粒子の分析（2006-03）
• InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響（2006-01）
• バラスト抵抗用Ni微粒子混合誘電体薄膜の作製と評価（2005-11）
• BiドープSiOx導電膜の特性評価（2005-11）
• NiO薄膜を用いたp-GaNオーミックコンタクトに関する研究（2005-11）
• バラスト抵抗用Ni微粒子混合Si3N4薄膜の作製と評価（2005-10）
• 走査型トンネル顕微鏡によるGaInP氏前兆格子構造の観察（2005-09）
• ナノポーラスシリカLow-k膜の低温熱処理と膜機械強度（2005-09）
• 階段状ドーピングプロファイルによるバラクターダイオードの高性能化（2005-03）
• Pdナノクリスタル含有SiO2の大気中及び低真空中SPM観察（2005-03）
• Self-limiting photo-assisted synthesis of silicon nanocrystals（2004-12）
• Self-limiting photo-assited synthesis of silicon nanocrystals（2004-12）
• 金属酸化物透明電極を用いた白色LEDの高機能化に関する研究（2004-11）
• ITO薄膜における深さ方向の構造についての光学的研究（2004-11）
• 超高真空走査型トンネル顕微鏡によるInGaP/GaAs超格子断面の観察（2004-11）
• ナノ構造分散系としての金属ドープガラス薄膜の電気伝導とデバイス応用（共著）（2004-11）
• CBrCL3をドーパント源としたp-InGaAsのMOVPE成長（2004-09）
• 紫外線照射による高品位SiOx膜の作成（2004-09）
• Ge超微粒子フローティングゲートMOSキャパシタの作製と電気的特性（2004-09）
• 超音速ジェットノズルによるシリコン超微粒子浮遊ゲートMOSキャパシターの作製（2002-11）
• ダブルヘテロGaAs/GaInP HBTのDC特性変化（2002-09）
• 超高真空断面走査型トンネル顕微鏡によるGaInP/GaAsヘテロ界面原子像の観察（2002-09）
• Si超微粒子熱酸化によるナノポーラスシリカ膜の作製(共著)（2002-05）
• アンジュレーター放射光によるMOVPEのin situ評価(IV)-GaInP/GaAs成長のリアルタイム制御-（2002-03）
• "固相Siナノクラスターによる半導体メモリー"（共著）（2001-11）
• SiO_2_超微粒子薄膜のLow-k応用（2001-06）
• 超高真空断面走査形トンネル顕微鏡による半導体へテロ界面GaInP/GaAsの観察（2001-03）
• 銅フタロシアニン／シリコンヘテロ接合ダイオードの特性（2001-03）
• MOVPE成長GaInP材料物性とGaInP/GaAs HBT DC特性に関する報告（2001-03）
• 水素終端したSi（111）2x1劈開面のSTSによる評価（2000-03）
• 全反射X線を用いたSiO2多孔質膜の誘電率測定（2000-03）
• 新低誘電材料としての酸化Si超微粒子膜の作製と評価（2000-03）
• 低誘電絶縁材料としてのSi酸化物超微粒子の作製と評価（1）（1999-03）
• トリメチルアミンを用いた高周波プラズマCVD法によるGaNの作製（1999-03）
• 固体クラスターの粒子サイズ効果による電子・光機能（1999-01）
• A study of band alignment in GaAs/GaInP（Partially ordered）heterostructureswith high pressure（1997-12）

書籍等出版物

• Nano-Scale Materials: From Science to Technology（2006）
• Spectroscopic Study of the Interface and Band alignment at the GaInP(Partially-ordered)/GaAs Heterojunction using High Pressure and High Magnetic Field. Spontaneous Ordering in Semiconductor Alloys, edited by A. Mascarenhas,（2002）

作品等

共同研究・競争的資金等の研究課題

メディア報道

産業財産権

所属学協会

• 応用物理学会
• 米国物理学会
• 米国材料研究学会

委員歴

担当経験のある科目

• Innovative Comprehensive Communications Design 1
• イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン1
• Mechanics
• 力学
• Fundamental Electronics
• 基礎電子工学
• 基礎科学実験A
• 基礎科学実験A
• 固体照明工学特論
• 大学院技術英語
• 応用数学
• 半導体工学（その他コース）
• 半導体工学（電子コース）
• 半導体工学（その他コース）
• 半導体工学（その他コース）
• 半導体工学（電子コース）
• 半導体工学（電子コース）
• 固体照明工学特論
• 固体照明工学特論
• 大学院技術英語
• 大学院技術英語
• 応用数学
• 応用数学

社会貢献活動

学術貢献活動