学位

• 博士(工学)（東京大学 1993-03）

経歴

学歴

受賞

その他

論文

• Droplet free self-assembling of high density nanoholes on GaAs(100) via thermal drilling（2024-03） [DOI]
• First-principles calculations of Mn incorporation into GaAs(110)（2023-03） [DOI]
• Flat metamorphic InAlAs buffer layer on GaAs(111)A misoriented substrates by growth kinetics control（2022-12） [DOI] [Scopus] [Scopus]
• Vapour Liquid Solid Growth Effects on InGaN Epilayers Composition Uniformity in Presence of Metal Droplets（2022-11） [DOI] [PubMed] [PubMed Central] [Web of Scientce] [Scopus] [Scopus]
• Telecom-wavelength InAs QDs with low fine structure splitting grown by droplet epitaxy on GaAs(111)A vicinal substrates（2021-03-29） [DOI]
• Nucleation of Ga droplets self-assembly on GaAs(111)A substrates（2021-03） [DOI] [PubMed] [PubMed Central] [Web of Scientce]
• Solid-State Dewetting Dynamics of Amorphous Ge Thin Films on Silicon Dioxide Substrates（2020-12） [DOI] [PubMed] [PubMed Central] [Web of Scientce]
• Intermittent growth for InAs quantum dot on GaAs(001)（2020-12） [DOI] [Web of Scientce]
• Reentrant Behavior of the Density vs. Temperature of Indium Islands on GaAs(111)A（2020-08） [DOI] [PubMed] [PubMed Central] [arXiv] [Web of Scientce] [Othres link] [Othres link]
• Droplet epitaxy quantum dot based infrared photodetectors（2020-03） [DOI] [PubMed] [Web of Scientce]
• Temperature Activated Dimensionality Crossover in the Nucleation of Quantum Dots by Droplet Epitaxy on GaAs(111)A Vicinal Substrates（2019-10） [DOI] [PubMed] [PubMed Central] [Web of Scientce]
• Raman spectroscopy of epitaxial InGaN/Si in the central composition range（2019-06） [DOI] [Web of Scientce]
• Droplet Controlled Growth Dynamics in Molecular Beam Epitaxy of Nitride Semiconductors（2018-07） [DOI] [PubMed] [PubMed Central] [Web of Scientce]
• Atomistic behaviour of (n x 3)- reconstructed areas of InAs-GaAs(001) surface at the growth condition（2017-11） [DOI] [Web of Scientce]
• Hopkins-Skellam index and origin of spatial regularity in InAs quantum dot formation on GaAs(001)（2015-04） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• In situ STM observations of step structures in a trench around an InAs QD at 300 1°C（2013-09） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Incorporation of Mn atoms into the GaAs(110) surface（2013-09） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• S-termination effects for the catalytic activities of Pd on GaN(0001) surfaces（2012-08） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Initial stages of MnAs heteroepitaxy and nanoisland growth on GaAs(110) and (001) surfaces（2011-07） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• In situ STM observation during InAs growth in nano holes at 300 °c（2011-07） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Nano-clustered Pd catalysts formed on GaN surface for green chemistry（2011-05） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Spatial point analysis of quantum dot nucleation sites on InAs wetting layer（2011-03） [DOI] [arXiv] [Web of Scientce] [Othres link]
• Surface study of organopalladium molecules on S-terminated GaAs（2011） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• In situ STM observation of site-controlled InAs nano-dot growth on GaAs(001) during In and As-4 irradiations（2011） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Density functional theory for green chemical catalyst supported on S-terminated GaN(0001)（2011） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• DFT calculation for green chemical catalyst with hydroxyl group supported on S-terminated GaN(0001)（2011） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• In situ STM observation of site-controlled InAs nano-dot growth on GaAs(001) during In and As-4 irradiations（2011） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Density Functional Theory for Green Chemical Catalyst Supported on S-Terminated GaN(0001)（2011） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Reusability, Durability and Treatability of Palladium Catalyst on a Semiconductor Plate: Comparison with Commercially Available Solid-Supported Palladium Catalysts（2010-12） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Temperature-Dependent Site Control of InAs/GaAs (001) Quantum Dots Using a Scanning Tunneling Microscopy Tip During Growth（2010-12） [DOI] [PubMed] [PubMed Central] [Web of Scientce]
• Statistical Analysis of Surface Reconstruction Domains on InAs Wetting Layer Preceding Quantum Dot Formation（2010-12） [DOI] [PubMed] [PubMed Central] [Web of Scientce]
• DFT calculation for palladium supported on s-terminated GaN as green chemical catalyst（2010-11-13） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Hard x-ray photoemission spectroscopic investigation of palladium catalysts immobilized on a GaAs(001) surface（2010-07-15） [DOI] [Scopus] [Scopus]
• Structure determination of Pd-catalyst supported on S-terminated GaAs(001) using DFT calculation（2010） [DOI] [Web of Scientce] [Scopus] [Scopus]
• Development of a Recyclable and Low-Leaching Palladium Catalyst Supported on Sulfur-Modified Gallium Arsenide (001) for Use in Suzuki-Miyaura Coupling（2009-10） [DOI] [Web of Scientce] [Scopus] [Scopus]
• Organopalladium catalyst on S-terminated GaAs (001) - (2×6) surface（2009-09） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Green Chemical Catalyst Supported on S-Terminated GaN(0001)（2009-05） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• GaSb/GaAs Quantum Nanostructures by Molecular Beam Epitaxy（2008-09-11） [DOI] [Othres link]
• Preparation of tethered palladium catalysis supported on gold(111) and its surface characterization by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)（2008-08） [DOI] [Web of Scientce] [Scopus] [Scopus]
• III-V族化合物半導体表面のMBE成長その場STM観察（2008） [DOI] [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books] [J-GLOBAL] [Othres link]
• InAs quantum dot evolution observed by in-situ scanning tunneling microscopy during molecular beam epitaxy growth（2008） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Investigation on high catalytic activity mechanism of organopalladium catalyst on S-terminated GaAs(001)-(2×6) surface（2008） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Enhancement of room temperature photoluminescence from InAs quantum dots by irradiating Mn（2007-09） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Dynamic force microscopy study of the Ga-rich c (8×2) and As-rich c (4×4) reconstructions of the GaAs(001) surface（2007-07） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Ground state lasing at 1.34 mu m from InAs/GaAs quantum dots grown by antimony-mediated metal organic chemical vapor deposition（2007-06） [DOI] [Web of Scientce]
• Investigation on GaAs(001) surface treated by As-free high temperature surface cleaning method（2007-04） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• High-temperature growth of Mn-irradiated InAs quantum dots（2007-04） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Structure of GaSb/GaAs(001) surface using the first principles calculation（2007-04） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Effect of antimony on the density of InAs/Sb : GaAs(100) quantum dots grown by metalorganic chemical-vapor deposition（2007-01） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Ground state lasing at 1.34 μm from InAs quantum dots grown on GaAs substrate by antimony-mediated metal organic chemical vapor deposition（2007） [Web of Scientce] [Othres link]
• Ground state lasing at 1.34 μm from InAsGaAs quantum dots grown by antimony-mediated metal organic chemical vapor deposition（2007） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• InAs wetting layer and quantum dots on GaAs(001) surface studied by in situ STM placed inside MBE growth chamber and kMC simulations based on first-principles calculations（2007） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Ground state lasing at 1.34 μm from InAs quantum dots grown on GaAs substrate by antimony-mediated metal organic chemical vapor deposition（2007） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Surface reconstructions on Sb-irradiated GaAs(001) formed by molecular beam epitaxy.（2007） [DBLP] [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• 新しいナノテクノロジーの展望 ナノテクノロジーを利用した環境調和型有機金属触媒（2006-12-01） [J-GLOBAL] [Othres link]
• ナノテクノロジーを利用した環境調和型有機金属触媒 (特集 新しいナノテクノロジーの展望)（2006-12） [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• Heteroepitaxial growth of InAs on GaAS(001) by in situ STM located inside MBE growth chamber（2006-12） [DOI] [DBLP] [Web of Scientce] [Othres link]
• High density InAs/GaAs quantum dots with enhanced photoluminescence intensity using antimony surfactant-mediated metal organic chemical vapor deposition（2006-10） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• In Situ scanning tunneling microscope observation of InAs wetting layer formation on GaAs(001) during molecular beam epitaxy growth at 500°C（2006-08） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• 1.55 μm emission from InAs/GaAs quantum dots grown by metal organic chemical vapor deposition via antimony incorporation（2006-08） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Development of a method for preparing a highly reactive and stable, recyclable and environmentally benign organopalladium catalyst supported on sulfur-terminated gallium arsenide(001): A three-component catalyst, {Pd}-S-GaAs(001), and its properties（2006-06） [DOI] [Web of Scientce] [Scopus] [Scopus]
• Erratum: Atomistic insights for InAs quantum dot formation on GaAs(001) using STM within a MBE growth chamber (Small (2006) 2 (386-389))（2006-05） [DOI]
• Highly reactive organopalladium catalyst formed on sulfur-terminated GaAs(001)-(2 × 6) surface（2006-05） [DOI] [Web of Scientce] [Scopus] [Scopus]
• Atomistic insights for InAs quantum dot formation on GaAs(001) using STM within a MBE growth chamber（2006-03） [PubMed] [DOI] [Web of Scientce]
• Emission at 1.55 μm from InAs/GaAs quantum dots grown by metal organic chemical vapor deposition via antimony incorporation（2006） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Conformation and local environment dependent conductance of DNA molecules（2005-12） [DOI] [PubMed] [Web of Scientce] [Othres link]
• Conductance of single thiolated poly(GC)-poly(GC) DNA molecules（2005-08） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• 低次元量子構造作製技術とデバイス応用の現状と展望 : 量子ドットを中心にして（2005-03-10） [J-GLOBAL] [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• Highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 μm by metalorganic chemical vapor deposition（2005-02） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Enhanced photoluminescence intensity in modulation doped p-InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy（2005） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Proposal of selective growth technique using periodic strain field caused by misfit dislocations（2004-11） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Improvement of the uniformity of self-assembled InAs quantum dots grown on InGaAs/GaAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition（2004-10） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Structural analysis by reflectance anisotropy spectroscopy: As and Sb on GaAs(110)（2004-10） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Novel palladium catalyst supported on GaAs(001) passivated by ammonium sulfide（2004-09-05） [DOI] [Scopus] [Scopus]
• In situ study of low-temperature growth and Mn, Si, Sn doping of GaAs (001) in molecular beam epitaxy（2004-05） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Narrow photoluminescence linewidth (< 17 meV) from highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition（2004-04） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• In-situ scanning tunneling microscopy observation of InAs quantum dots on GaAs(001) during molecular beam epitaxy growth（2004） [Web of Scientce] [Othres link]
• Controlling the uniformity of self-assembled InAs/GaAs quantum dots by a combined GaAs/InGaAs strained buffer layer（2004） [Web of Scientce] [Othres link]
• Gallium-rich reconstructions on GaAs(001)（2003-11） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• In situ scanning tunneling microscopy of InAs quantum dots on GaAs(001) during molecular beam epitaxial growth（2003-10） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Structure of Ga-stabilized GaAs(001) surfaces at high temperatures（2003-05） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Ga-rich GaAs(001) surfaces observed by STM during high-temperature annealing in MBE（2003-04） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Influence of the reconstruction of GaAs (001) on the electro-optical bulk properties（2003-02） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Passivation and reconstruction-dependent electron accumulation at sulphur treated InAs(001) surfaces（2003-01） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Novel organopalladium material formed on a sulfur-terminated GaAs(001) surface（2002-11-01） [DOI] [Scopus] [Scopus]
• New structure model for the GaAs(001)-c(4 × 4) surface（2002-11） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• New structure model for the GaAs(001)-c(4x4) surface（2002-11） [PubMed] [DOI] [Web of Scientce]
• GaAs(001)表面のGaナノクラスター（2002-10） [CiNii Research (CiNii Articles)]
• Structure analysis of the Ga-stabilized GaAs(001)-c(8 × 2) surface at high temperatures（2002-06-15） [Othres link]
• Structure analysis of the Ga-stabilized GaAs(001)-c(8x2) surface at high temperatures（2002-06） [DOI] [arXiv] [Web of Scientce] [Othres link]
• Extreme band bending at MBE-grown InAs(0 0 1) surfaces induced by in situ sulphur passivation（2002） [DOI] [Othres link]
• Dynamics of Ga clusters on GaAs(001) surface（2001-12-01） [Othres link]
• Photoluminescence properties of uniform InGaAs quantum dots fabricated by heterogeneous droplet epitaxy（2001-12-01） [Othres link]
• Effects of post-annealing on photoluminescence properties of GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy（2001-12-01） [Othres link]
• In-situ determination of the carrier concentration of (001) GaAs by Reflectance Anisotropy Spectroscopy（2001-12） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Indium segregation in the fabrication of InGaAs concave disks by heterogeneous droplet epitaxy（2001-07） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Photoluminescence studies of GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy（2001-07） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Transmission electron microscope study of InGaAs quantum dots fabricated by SPEED method（2001-04） [Web of Scientce] [Othres link]
• その場STM観察によるGaAs(001)表面のGa原子吸着ダイナミクス（2001-03-10） [J-GLOBAL] [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books] [DOI]
• アトムサブライム法による表面新機能物質探索に関する研究（2001-02-26） [J-GLOBAL] [Othres link]
• 半導体量子ドットレーザの創製と特性評価に関する研究（2001-02-26） [J-GLOBAL] [Othres link]
• Optical anisotropy in InGaAs concave disks fabricated by Heterogeneous Droplet Epitaxy（2001） [Web of Scientce]
• InAs quantum dots growth by modified droplet epitaxy using sulfur termination（2000-12-01） [DOI] [CiNii Research (CiNii Articles)] [Othres link]
• Stoichiometry study of S-terminated GaAs(001)-(2 × 6) surface with synchrotron radiation photoelcctron spectroscopy（2000-12-01） [DOI] [CiNii Research (CiNii Articles)] [Othres link]
• Nanoscale InGaAs concave disks fabricated by heterogeneous droplet epitaxy（2000-06） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Magneto-photoluminescence study of InGaAs quantum dots fabricated by droplet epitaxy（2000-05） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• ナノスペースラボによる新材料の創製に関する研究（2000-03-31） [J-GLOBAL] [Othres link]
• InGaAs量子ドットのSPEED法による作製とその光学特性（2000-02-10） [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books] [DOI] [J-GLOBAL] [Othres link]
• Fabrication of InGaAs quantum dots on GaAs(001) by droplet epitaxy（2000-02） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Magic numbers in Ga clusters on GaAs (001) surface（2000-02） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• 電子・光機能探索ラボを基調としたナノサイズ効果利用材料の創製に関する研究 1 量子閉じ込めサイズ効果の探索による無機クラスター材料創製に関する研究 (科学技術庁研究開発局S)（2000） [J-GLOBAL] [Othres link]
• ＩｎＧａＡｓ量子ドットのＳＰＥＥＤ法による作製とその光学特性（2000） [J-GLOBAL] [CiNii Research (CiNii Articles)] [DOI]
• New self-organized growth method for InGaAs quantum dots on GaAs(001) using droplet epitaxy（1999-09） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Atomic-level in situ real-space observation of Ga adatoms on GaAs(0 0 1)(2×4)-As surface during molecular beam epitaxy growth（1999-05） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Transition from GaAs(001)(2x6)-S to (2x3)-S surfaces observed by synchrotron radiation photoelectron spectroscopy, X-ray absorption near edge structure, and X-ray standing waves（1999） [Web of Scientce]
• Ga-S-Ga bridge-bond formation on in-situ S-treated GaAs(001) surface observed by synchrotron radiation photoemission spectroscopy, X-ray absorption near edge structure, and X-ray standing waves（1998-06） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Coverage analysis of a sulfur-terminated GaAs(001)-(2 × 6) surface: The effect of double sulfur-treatment（1998-05） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• モレキュラーラボによる新材料創製に関する研究 無機クラスターの配列操作と光学的機能に関する研究 (科学技術庁研究開発局S)（1998） [J-GLOBAL] [Othres link]
• Photoelectron and Auger electron diffraction studies of a sulfur-terminated GaAs(001)-(2 × 6) surface（1998-01） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Scanning tunneling spectroscopy and first-principles investigation on GaAs(0 0 1)(2 × 6)-S surface formed by molecular beam epitaxy（1997-05） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• 液滴エピタキシィ法による高性能光電素子用材料の創製に関する研究（1997-03） [J-GLOBAL] [Othres link]
• Observation of enhanced lateral confinement of excitons in GaAs quantum wires with various sizes (7-30 nm) by magnetophotoluminescence measurements（1995-12-01） [DOI] [Othres link] [Scopus]
• SURFACE RECONSTRUCTION OF SULFUR-TERMINATED GAAS(001) OBSERVED DURING ANNEALING PROCESS BY SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY（1995-05） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Observation of enhanced exciton binding energy in GaAs quantum wires by using a magnetophotoluminescence measurement（1994） [Scopus] [Scopus]
• GaAs quantum dots with lateral dimension of 25 nm fabricated by selective metalorganic chemical vapor deposition growth（1994） [DOI] [Othres link]
• Observation of sulfur-terminated GaAs(001)-(2×6) reconstruction by scanning tunneling microscopy（1994） [DOI] [Othres link]
• Exciton radiative lifetime in GaAs quantum wires grown by metalorganic chemical-vapor selective growth（1994） [DOI] [Othres link]
• Optical properties of GaAs quantum dots fabricated by MOCVD selective growth（1994） [DOI] [Othres link]
• DIRECT FORMATION OF GAAS-GAALAS QUANTUM DOTS STRUCTURE BY DROPLET EPITAXY（1994） [Web of Scientce] [Othres link]
• 2×6 surface reconstruction of in situ sulfur-terminated GaAs(001) observed by scanning tunneling microscopy（1994） [DOI] [Othres link]
• Fabrication of quantum wires and dots for quantum optoelectronic devices（1993-12-01） [Othres link]
• FABRICATION OF INGAAS STRAINED QUANTUM-WIRE STRUCTURES USING SELECTIVE-AREA METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION GROWTH（1993-10） [Web of Scientce]
• GROWTH-PROCESS AND MECHANISM OF NANOMETER-SCALE GAAS DOT-STRUCTURES USING MOCVD SELECTIVE GROWTH（1993-02） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• 有機金属気相選択成長による量子細線・量子ドットの作製とその光物性 (量子固体エレクトロニクス<特集>)（1993-02） [J-GLOBAL] [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• Fabrication of GaAs quantum wires (∼10 nm) by metalorganic chemical vapor selective deposition growth（1993） [DOI] [Othres link]
• Fabrication of GaAs arrowhead-shaped quantum wires by metalorganic chemical vapor deposition selective growth（1993） [DOI] [Othres link]
• Fabrication and optical properties of GaAs quantum wires and dots by MOCVD selective growth（1993） [DOI] [Othres link]
• MOCVD選択成長によるInGaAs歪量子細線の作製（1992-11） [J-GLOBAL] [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA AND ANISOTROPIC ENERGY SHIFT OF GAAS QUANTUM WIRES IN HIGH MAGNETIC-FIELDS（1992-11） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• Fabrication of GaAs arrowhead-like quantum wires by MOCVD selective growth and their optical properties（1992-08） [Othres link]
• OPTICAL-PROPERTIES OF IN-SITU GROWN GAAS QUANTUM WIRES BY MOCVD SELECTIVE GROWTH（1992） [Web of Scientce]
• FABRICATION OF GAAS QUANTUM WIRES ON EPITAXIALLY GROWN V-GROOVES BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR DEPOSITION（1992-01） [DOI] [Web of Scientce] [Othres link]
• OPTICAL-PROPERTIES OF IN-SITU GROWN GAAS QUANTUM WIRES BY MOCVD SELECTIVE GROWTH（1992） [Web of Scientce] [Othres link]
• Transport properties of InAsxSb1−x (0≤x≤0.55) on InP grown by molecular‐beam epitaxy（1990-06） [DOI] [Web of Scientce]
• MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH OF HIGH-QUALITY INSB ON INP AND GAAS SUBSTRATES（1989-10） [DOI] [Web of Scientce]

その他業績

• Metal Droplet Effects on the Composition of Ternary Nitrides（2019-07-16） [arXiv] [Othres link] [Othres link]
• Droplet Controlled Growth Dynamics in Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy of In(Ga)N Materials（2017-11-29） [arXiv] [Othres link] [Othres link]
• STMBE断続供給法によるInAs量子ドット形成過程観察に関する研究（2017） [J-GLOBAL]
• III-V族半導体量子ドット成長のその場観察と成長メカニズム（2016） [J-GLOBAL]
• MBE成長中InAs-GaAs(001)表面における(n×3)再構成領域の変化（2016） [J-GLOBAL]
• 半導体結晶成長機構のその場観察(特集序文,<特集>半導体結晶成長機構のその場観察)（2015-10） [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• In断続供給によるInAs量子ドット形成のSTMBE観察（2015） [J-GLOBAL]
• InGaAs表面再構成分布と量子ドット規則化生成の数理解析（2015） [J-GLOBAL]
• In断続供給によるInAs量子ドット形成過程のSTMBE観察（2015） [J-GLOBAL]
• InAs-GaAs(001)表面再構成における組成ゆらぎと量子ドットの非古典的核形成 (特集 半導体結晶成長機構のその場観察)（2015） [J-GLOBAL] [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books] [Othres link]
• 7pAK-1 化合物半導体MBE成長のその場STM観察(招待講演,7pAK 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))（2014-08-22） [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• STMBE法によるGaAs(001)上InAs3D島構造成長その場観察（2014） [J-GLOBAL]
• InAsウェッティング層上ステップ構造近傍での量子ドット形成STMBE観察（2014） [J-GLOBAL]
• STMBE法によるGaAs(001)面上InAs二次元島成長その場観察（2013） [J-GLOBAL]
• 量子ドット発生直前のInAsウェッティング層における表面超構造ドメインの解析手法（2012） [J-GLOBAL]
• GaAs(110)表面上へのMn原子の取り込み（2012） [J-GLOBAL]
• STMBEを利用したInAs量子ドット作製後アニール温度効果その場観察（2012） [J-GLOBAL]
• GaAs基板上へのMnAs成長初期過程（2011） [J-GLOBAL]
• GaN基板を用いた高リサイクルPd固定触媒の開発（2011） [J-GLOBAL]
• STMBE法による位置制御した単一InAs量子ドットの作製（2011） [J-GLOBAL]
• STM観察のための半導体薄膜へき開条件（2011） [J-GLOBAL]
• 硫黄終端GaAs担持有機Pd触媒のFT-IR測定（2010） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)面上Ga液滴によるナノホール形成のその場STM観察（2010） [J-GLOBAL]
• 3次元成長アシスト法によるナノドット成長の高温その場STM観察（2010） [J-GLOBAL]
• GaN基板上Pd固定触媒のS終端効果（2010） [J-GLOBAL]
• InAsウェッティング層表面超構造ドメインと量子ドット生成パターンの統計的解析（2010） [J-GLOBAL]
• ナノドット選択形成のMBE成長その場STM観察（2010） [J-GLOBAL]
• GaN-S-Pd基板触媒のマイクロ波を用いた反応への適用（2010） [J-GLOBAL]
• 半導体担持型Pd触媒を用いた鈴木-宮浦カップリング:繰り返し利用可能・低漏洩（2009） [J-GLOBAL]
• 環境負荷の軽減を指向した窒化ガリウム半導体基板担持触媒の開発（2009） [J-GLOBAL]
• 3次元成長アシスト法によるナノドット配列制御のその場STM観察（2009） [J-GLOBAL]
• 走査型プローブ顕微鏡を用いたGaAs(110)へき開面の観察（2009） [J-GLOBAL]
• 半導体基板のパラジウム触媒反応への適用（2009） [J-GLOBAL]
• 硫黄終端GaAs(001)-(2x6)面上Pd有機金属触媒の触媒活性（2009） [J-GLOBAL]
• 硫黄終端GaN(0001)面上Pd有機金属触媒のXPS分析（2009） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)面上InAsウェッティング層の成長その場STM観察（2009） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)面上InAsウェッティング層表面超構造の解析（2009） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)面上In液滴によるナノホール形成その場STM観察（2009） [J-GLOBAL]
• 硫黄終端GaAs(001)-(2x6)面におけるX線表面散乱測定（2009） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)面上InAs量子ドットの高温その場STM観察（2008） [J-GLOBAL]
• 硫黄終端GaAs(001)-(2×6)面上Pd有機金属触媒のRHEED観察（2008） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)面上InAs量子ドット端の高温その場STM観察（2008） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)面上InAs量子ドット近傍の高温その場STM観察（2008） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)面上InAs量子ドット側面の高温その場STM観察（2008） [J-GLOBAL]
• 硫黄終端GaAs(001)-(2×6)面上Pd有機金属触媒のその場STM観察（2008） [J-GLOBAL]
• MBE成長その場STM観察(STMBE)装置を用いた基礎実験の展望（2008） [J-GLOBAL]
• ナノ計測検討会報告書（2007） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)基板上自然形成ナノピットへのInAs QDs MBE選択成長（2007） [J-GLOBAL]
• GaAs基板担持型パラジウム触媒の高機能化（2007） [J-GLOBAL]
• 新規不均一系GaAs担持型パラジウム触媒の開発（2006） [J-GLOBAL]
• InAs量子ドットMBE成長その場STM観察（2006） [J-GLOBAL]
• As無し高温表面クリーニング法を施したGaAs(001)基板表面の解析（2006） [J-GLOBAL]
• As無し高温表面クリーニング法を施したGaAs(001)表面温度依存性の解析（2006） [J-GLOBAL]
• Sb照射GaAs(001)表面上InAs量子ドットのMBE成長その場STM観察（2006） [J-GLOBAL]
• Sb照射GaAs(001)表面上InAs量子ドットMBE成長その場STM観察（2006） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)基板上InAs quantum dot MBE成長その場高温STM観察（2006） [J-GLOBAL]
• Mn照射InAs量子ドットの光学特性（2006） [J-GLOBAL]
• 25aXC-2 GaAs(001)表面上のInAs量子ドット形成初期過程のシミュレーションとその場観察STMによる研究(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))（2005-03-04） [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• 半導体担持型パラジウム触媒の開発とその機能（2005） [J-GLOBAL]
• 半導体表面ナノ構造の解析と応用（2005） [J-GLOBAL]
• GaAs基板担持型有機パラジウム触媒の製造とその機能（2005） [J-GLOBAL]
• p型変調ドープによるInAs量子ドットのPL強度増加（2005） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)基板上InAs wetting layer MBE成長その場高温STM観察（2005） [J-GLOBAL]
• InAs量子ドット発生メカニズムの実験的・理論的解析（2005） [J-GLOBAL]
• Sbを用いたMOCVD法自己形成InAs/GaAs量子ドットの高密度化・長波長化に関する検討（2005） [J-GLOBAL]
• GaAs基板担持型新規Pd触媒の開発と有機合成反応への応用（2005） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)-c(4×4)上のSb照射表面その場STM観察（2005） [J-GLOBAL]
• As無し高温表面クリーニング法を施したGaAs(001)基板その場STM観察（2005） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)面上InAs量子ドットMBE成長時その場STM観察（2004） [J-GLOBAL]
• 液滴エピタキシーを用いたInGaAs量子ドット成長と歪みを利用した自己配列制御（2004） [J-GLOBAL]
• 新規GaAs担持型パラジウム触媒の合成と機能（2004） [J-GLOBAL]
• InAs Wetting Layer表面構造のその場STM高温観察（2004） [J-GLOBAL]
• 新規GaAs担持型パラジウム錯体の創成（2004） [J-GLOBAL]
• MBE法によるInAs量子ドットへのBe添加の影響（2004） [J-GLOBAL]
• InP(100)基板上のInAs量子ドットのアニール効果（2004） [J-GLOBAL]
• 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造（2003-03-06） [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• InAs量子ドットMBE成長時その場STM直接観察（2003） [J-GLOBAL]
• 硫黄終端GaAs(001)基板上に結合した有機金属錯体の触媒活性（2003） [J-GLOBAL]
• 歪みバッファ層によるInAs量子ドットの高均一・高密度化（2003） [J-GLOBAL]
• 7aSM-1 GaAs(001)-c(4×4)表面に対する新たな構造モデルの提唱(表面界面構造・電子物性,領域9)（2002-08-13） [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• 27pYF-9 Ga安定化GaAs(001)表面の構造評価(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))（2002-03-01） [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• As-rich GaAs(001) surfaces observed during As4-irradition by scanning tunneling microscopy（2002-02-05） [arXiv] [Othres link] [Othres link]
• Ga-rich GaAs(001) surfaces observed during high-temperature annealing by scanning tunneling microscopy（2002-01-29） [arXiv] [Othres link] [Othres link]
• Ga安定化GaAs(001)-c(8x2)表面の高温でのRHEED構造解析（2002） [J-GLOBAL]
• 地域環境ボランティア活動への参加と生活経験（2002） [J-GLOBAL]
• GaAs表面におけるGaナノクラスターの形成（2002） [J-GLOBAL]
• As安定化GaAs(001)-c(4x4)表面に対する新たな構造モデル（2002） [J-GLOBAL]
• Ga安定化GaAs(001)表面の高温STM観察（2002） [J-GLOBAL]
• Ga-rich GaAs(001)表面のSTM観察（2002） [J-GLOBAL]
• InAs/GaAs(110)上の周期的歪み場を利用したナノ構造の選択成長（2002） [J-GLOBAL]
• Ga-rich GaAs[001] surfaces observed by STM during high-temperature annealing in MBE chamber（2002-01-01） [DOI] [Othres link]
• 液滴エピタキシィ法によりWetting Layer膜厚を制御したGaAs量子ドットの作製（2001） [J-GLOBAL]
• HDE法により作製したInGaAs量子ドットのPL特性の成長条件依存性（2001） [J-GLOBAL]
• 低電圧カソードルミネッセンスによる液滴エビタキシィ法で作製した量子ドットの評価（2001） [J-GLOBAL]
• 液滴エピタキシィ法によりWetting Layer膜厚を制御したGaAs量子ドットの作製（2001） [J-GLOBAL]
• 液滴エピタキシィ法により作製したGaAs量子ドットの顕微フォトルミネッセンス（2001） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)表面のAs₄照射その場STM観察（2001） [J-GLOBAL]
• As照射下におけるGaAs(001)-(2x4)表面原子配列（2001） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)表面の原子吸着ダイナミクス（2000） [J-GLOBAL]
• 液滴エピタキシィ法により作製した高品質GaAs量子ドットの光学特性（2000） [J-GLOBAL]
• SPEED法により作製したInGaAs量子ドットの構造評価（2000） [J-GLOBAL]
• HDE法により作製したInGaAs Concave Diskの発光特性（2000） [J-GLOBAL]
• GaAsエピタキシャル成長その場STM観察（2000） [J-GLOBAL]
• SPEED法により作製したInGaAs量子ドットの磁場中での発光特性（1999） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)表面上のMBE成長その場STM観察 (II)（1999） [J-GLOBAL]
• 真空中S終端処理GaAs(001)表面の昇温脱離過程の解析（1999） [J-GLOBAL]
• SPEED法により作製したInGaAs量子ドットの磁場中での発光特性（1999） [J-GLOBAL]
• S終端処理GaAs(001)表面の放射光光電子分光（1999） [J-GLOBAL]
• ステップ近傍吸着原子のダイナミックスその場STM観察（1998） [J-GLOBAL]
• GaAs(001)表面上のMBE成長その場STM観察（1998） [J-GLOBAL]
• 軟X線定在波法とX線吸収端微細構造による硫黄吸着GaAs(001)の加熱処理過程の解析（1998） [J-GLOBAL]
• 放射光光電子分光法による真空中S終端処理GaAs(001)表面の解析（1998） [J-GLOBAL]
• MBE成長その場STM観察装置の開発（1998） [J-GLOBAL]
• 7a-PS-55 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測IV（1997-09-16） [J-GLOBAL] [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• 硫化処理を施したGaAs表面構造の解析（1997） [J-GLOBAL]
• 硫黄吸着GaAs(001)表面におけるS-As置換反応過程の放射光による観察（1997） [J-GLOBAL]
• 真空中S終端処理GaAs(001)表面の光電子分光法による観察（1997） [J-GLOBAL]
• S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測III（1996-09-13） [J-GLOBAL] [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• 31p-PSB-33 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測II（1996-03-15） [J-GLOBAL] [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• 真空中S終端処理GaAs(001)表面のSTM/STS観察（1996） [J-GLOBAL]
• 30a-PS-26 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測（1995-09-12） [J-GLOBAL] [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• 真空中S終端処理GaAs(001)-(2×6)表面構造（1995） [J-GLOBAL]
• 真空中S終端処理GaAs(001)-(2×6)表面構造の均一性（1995） [J-GLOBAL]
• S終端処理を施したGaAs(001)表面のSTM観察（1994） [J-GLOBAL]
• 三角柱型GaAs量子細線の角度分解磁気PLスペクトル（1994） [J-GLOBAL]
• 真空中S終端及びS保護処理を施したGaAs(001)表面のSTM観察（1994） [J-GLOBAL]
• 硫化処理したGaAs表面のSTM観察 2段階硫化処理による2×6表面再構成の均一化（1994） [J-GLOBAL]
• MOCVD選択成長による高密度GaAs量子ドットの作製とそのPLスペクトル（1993） [J-GLOBAL]
• GaAs量子細線におけるキャリア寿命の測定 細線幅依存性（1993） [J-GLOBAL]
• MOCVD選択成長によるGaAs量子ドットのPLおよびPLEスペクトル（1993） [J-GLOBAL]
• MOCVD選択成長によるInGaAs歪量子細線の作製とその光物性（1993） [J-GLOBAL]
• MOCVD選択成長によるInGaAs歪量子細線レーザ構造の作製（1993） [J-GLOBAL]
• GaAs量子細線構造(~10nm)の作製とその光物性（1993） [J-GLOBAL]
• Arrowhead型GaAs量子細線構造の作製とその光物性（1992） [J-GLOBAL]
• GaAs量子ドットのPLスペクトルおよびキャリア寿命の測定（1992） [J-GLOBAL]
• MOCVD選択成長によるGaAs量子細線の作製と光物性（1992） [J-GLOBAL]
• GaAs量子細線の時間分解PLスペクトル（1992） [J-GLOBAL]
• MOCVD選択成長によるGaAs量子細線(~10nm)の作製とその光物性（1992） [J-GLOBAL]
• MOCVD選択成長による埋め込み型GaAs細線構造の作製 I（1991） [J-GLOBAL]
• MOCVD選択成長による埋め込み型GaAs量子細線構造の作製と光学的性質（1991） [J-GLOBAL]
• MOCVD選択成長による埋め込み型GaAsドット構造の作製（1991） [J-GLOBAL]
• GaAs量子細線におけるキャリア寿命の測定（1991） [J-GLOBAL]
• MOCVD選択成長による埋め込み型GaAs細線構造の作製 II（1991） [J-GLOBAL]
• MOCVD法によるGaAs量子細線の作製とその光学的性質（1991） [J-GLOBAL]
• 電子ビーム描画パターン上へのMOCVD選択成長によるGaAs細線構造の作製（1990） [J-GLOBAL]

講演・口頭発表等

• Study of initial metal cluster size on compound semiconductor surfaces（2022-02-21）
• Droplet epitaxy from beginning to present, pursuing initial cluster size（2021-09-08）
• Investigation on Compound Semiconductor Crystal growth mechanism by STMBE which performs true in-situ STM imaging during MBE growth（2019-09）
• Formation mechanism of InAs quantum dots on GaAs(001) investigated by STMBE which performs true in-situ STM imaging during MBE growth（2019-02）
• S-terminatied semiconductor surfaces for green chemistry（2017-09）
• Pd-catalysts on S-terminated GaAs and GaN substrates for green chemistry（2017-01-17）
• 化合物半導体を用いた研究最前線 -量子ドット発生メカニズムから担持型Pd触媒合成反応まで-（2016-12-09）
• Crystal growth mechanism of InAs quantum dots on GaAs(001) investigated by STMBE method（2016-11-30）
• Crystal growth mechanism investigated by STMBE method（2016-11-23）
• STMBE断続供給法によるGaAs(001)面上InAs量子ドットの特異な形成過程観察（2016-11-21）
• Crystal growth mechanism of compound semiconductor quantum dots（2016-10-26）
• Spatial point process and Hopkins-Skellam index of InAs quantum dot formation on GaAs(001)（2016-10-26）
• III‐V族半導体量子ドット成長のその場観察と成長メカニズム（2016-09-06） [Othres link]
• Atomistic Evolution of (n×3)-reconstructed Areas of InAs-GaAs(001) Surface during MBE Growth（2016-09）
• MBE成長中InAs‐GaAs(001)表面における(n×3)再構成領域の変化（2016-09-01） [Othres link]
• Size evolution of (nx3) reconstructed areas on growing InAs-GaAs(001) surface（2016-08）
• STMBE - 三元混晶III-III’-V型化合物半導体薄膜成長の謎に迫る -（2016-02）
• STMBE（分子線エピタキシィー成長中 走査型トンネル顕微鏡観察）による化合物半導体ナノ構造結晶形成過程の解析（2015-11）
• 半導体結晶成長機構のその場観察 InAs‐GaAs(001)表面再構成における組成ゆらぎと量子ドットの非古典的核形成（2015-10） [Othres link]
• Mathematical Analysis of Reconstruction Morphology - Regularity of InAs Quantum Dot Formation -（2015-09）
• STMBE - from the past to the future -（2015-09）
• InAs quantum dot nucleation sites at 500C studied by STMBE intermittent In supply method（2015-09）
• InGaAs表面再構成分布と量子ドット規則化生成の数理解析（2015-08-31） [Othres link]
• In断続供給によるInAs量子ドット形成過程のSTMBE観察（2015-08-31） [Othres link]
• Novel Insight into Spatial Regularity of InAs Quantum Dot Formation Pattern of GaAs(001)（2015-06）
• ひょんなんことから触媒研究 -青色ＬＥＤの材料が薬をつくるのにも役立つ？-（2015-03）
• In断続供給によるInAs量子ドット形成のSTMBE観察（2015-02-26） [Othres link]
• in-situ STM observation of elementary growth processes in MBE of InAs quantum dot on GaAs(001) surface（2015-01）
• 分子線エピタキシャル成長中での走査型トンネル顕微鏡観察（2014-12）
• InAsナノ構造形成のその場STM観察及び位置制御（2014-12）
• 多成分エピタキシャル成長その場原子レベル観察 -実験系から数理への期待-（2014-12）
• GaAs基板上InAs量子ドット生成過程における規則性の起源について（2014-10）
• Evolution of Surface Reconstruction Territory on an InAs-GaAs Wetting Layer During MBE Growth（2014-09）
• STMBE Observation of InAs Quantum Dots on GaAs(001) at 500℃ Grown by an Intermittent Growth Method（2014-09）
• 化合物半導体MBE成長のその場STM観察（2014-09）
• InAsウェッティング層上ステップ構造近傍での量子ドット形成STMBE観察（2014-09-01） [Othres link]
• STMBE法によるGaAs(001)上InAs3D島構造成長その場観察（2014-03-03） [Othres link]
• 位置制御型単一量子ドット作製に関する研究（2014-03）
• 化合物半導体表面での 分子線エピタキシィ成長その場ＳＴＭ観察（2014-01）
• Quantum Dots for Future Devices - From basis to applications -（2013-11）
• Recent researches using STMBE: STM in-situ observations during MBE growth（2013-10）
• in-situ atomic-level 3D imaging of InAs quantum dot formation process on GaAs(001) during molecular beam epitaxy growth（2013-09）
• Recent researches using STMBE: STM \textitin-situ observations during MBE growth（2013-09）
• aRecent researches using STMBE: STM in-situ observations during MBE growth（2013-08）
• 3-dimensional InAs island growth on GaAs(001) at 500℃ observed by STMBE system（2013-08）
• In_xGa_1-xAs alloy fluctuation and quantum dot nucleation mechanism（2013-08）
• 窒化ガリウムを用いた地球にやさしい触媒開発〜省エネ・ローコスト「薬」づくりを目指して〜（2013-07）
• STMBE : MBE成長その場STM観察（2013-07）
• 2-dimensional InAs island growth on GaAs(001) at 500C observed by STMBE system（2013-05）
• Atomic-scale fluctuation of InAs-GaAs wetting layer and nucleation sites of InAs quantum dots（2013-05）
• Ferromagnetic Coupling between Mn Atoms on the GaAs(110) Surface（2013-05）
• 20年前にNIMS(NRIM)で研究開発した二つの成果(真空中S終端技術とSTMBE法)のその後（2013-04）
• STMBE法によるGaAs(001)面上InAs二次元島成長その場観察（2013-03-11） [Othres link]
• Surface reconstruction territories on the InAs-GaAs wetting layer: can local reconstruction affect quantum dot nucleation?（2013-01）
• Trench Structure Formations Around InAs QDs on GaAs(001) Observed by STMBE（2013-01）
• Morphology and Evolution of Surface Reconstruction of an InAs-GaAs Wetting Layer at High Temperatures（2013-01）
• Spatial Distribution of Surface Reconstructions on InAs-GaAs Wetting Layer（2012-12）
• Atomistic insights and controls for compound semiconductor growth by STMBE: STM observation during MBE growth（2012-11）
• Organopalladium catalyst on S-terminated GaAs(001) and GaN(0001) surfaces（2012-11）
• International Collaboration in Advanced Science Research Is a Key for Motivating Students : An Example of My Five-Year Experience in Anan Kosen（2012-10）
• in-situ STM observation of nanohole formation on GaAs (001) by Ga droplet（2012-09）
• Effect of annealing temperature after InAs QD fabrication observed by STMBE（2012-09）
• Incorporation of Mn Atoms onto GaAs(110): experimental and theoretical investigations（2012-09）
• Computational Analysis of Surface Reconstruction Domains and Quantum Dot Nucleation Sites on an InAs-GaAs Wetting Layer（2012-09）
• GaAs(110)表面上へのMn原子の取り込み（2012-08-27） [Othres link]
• STMBEを利用したInAs量子ドット作製後アニール温度効果その場観察（2012-08-27） [Othres link]
• 量子ドット形成の核発生その場観察（2012-08）
• ナノスペースファクトリー化合物半導体最前線（2012-07）
• やりたいことはなんですか（2012-06）
• Atomistic insights and controls for compound semiconductor growth by STMBE: STM observation during MBE growth（2012-03）
• 量子ドット発生直前のInAsウェッティング層における表面超構造ドメインの解析手法（2012-02-29） [Othres link]
• 青色ＬＥＤ材料の窒化ガリウムを用いた地球にやさしい触媒開発〜省エネ・ローコストの「薬」づくりを目指して〜（2011-12）
• 窒化ガリウム基板を用いた固定型遷移金属触媒の開発（2011-10）
• STM観察のための半導体薄膜へき開条件（2011-09-13） [Othres link]
• Spatial Point Analysis of Surface Reconstruction Domains and Quantum Dot Nucleation Sites on InAs Wetting Layer（2011-09）
• Atomistic insights and control for compound semiconductor MBE growth by \textitin situ STM（2011-09）
• Organopalladium catalyst on S-terminated GaAs(001) and GaN(0001) surfaces（2011-09）
• Immobilized palladium catalysts on sulfur-terminated substrate studied by hard X-ray photoemission（2011-09）
• STMBE法による位置制御した単一InAs量子ドットの作製（2011-08-16） [Othres link]
• Observation of InAs growth rate differences between hole structures and ordinary WL region（2011-06）
• Alloy Fluctuations in InGaAs Wetting Layer: A Key for Quantum Dot Nucleation（2011-06）
• Spatial Point Analysis of Quantum Dot Nucleation Sites on InAs Wetting Layer（2011-06）
• STMBE（MBE成長その場STM観察）による単一量子ドット形成（2011-04）
• Statistical Comparison of Quantum Dot Nucleation Sites and Surface Reconstruction Domains on InAs/GaAs(001) Wetting Layer（2011-04）
• Atomistic view of InAs quantum dot self-assembly during MBE growth（2011-04）
• in situ observation of InAs growth rate differences between hole structures and WL region（2011-04）
• Initial growth of MnAs on GaAs (110) and (001)（2011-04）
• GaN基板を用いた高リサイクルPd固定触媒の開発（2011-03-09） [Othres link]
• GaAs基板上へのMnAs成長初期過程（2011-03-09） [Othres link]
• III-V Material Growth and Characterization Studies by STMBE（2011-02）
• Compound Semiconductor Crystal Growth and its insitu Characterization（2011-02）
• Atomistic Insights for InAs Quantum Dot Formation on GaAs(001) using STM within a MBE Growth Chamber（2011-02）
• Scanning Tunneling Microscopic Observation During Molecular Beam Epitaxy Growth（2011-01）
• Site-controlled Single InAs Quantum Dot on GaAs(001) Formed by STMBE（2011-01）
• MnAs Nanocrystals on GaAs(110) Formed by Molecular Beam Epitaxy（2011-01）
• Pd Catalysts Formed on GaN(0001) for Heck Reaction（2011-01）
• Statistical Approach to Quantum Dot Nucleation Sites in Stranski-Krastanow Mode（2011-01）
• グリーンケミストリー：GaN基板上Pd固定触媒（2010-12）
• InAsウェッティング層表面超構造ドメインと量子ドット生成パターンの統計的解析（2010-12）
• STMBE: 分子線エキタピシィ成長その場走査型トンネル顕微鏡観察（2010-12）
• GaN‐S‐Pd基板触媒のマイクロ波を用いた反応への適用（2010-10-18） [Othres link]
• ナノドット選択形成のMBE成長その場STM観察（2010-08-30） [Othres link]
• GaN基板上Pd固定触媒のS終端効果（2010-08-30） [Othres link]
• InAsウェッティング層表面超構造ドメインと量子ドット生成パターンの統計的解析（2010-08-30） [Othres link]
• 硫黄終端窒化ガリウム(0001)基板に担持された環境調和型触媒の密度汎関数法理論（2010-08）
• 半導体基板上に担持した有機金属触媒（2010-08）
• in situ scanning tunneling microscope during III-V molecular beam epitaxy growth（2010-08）
• Nanohole formation of Ga nanostructure on GaAs (001) by droplet epitaxy（2010-08）
• in situ STM observation during InAs growth in nano holes at 300^\circC（2010-08）
• Nano-clustered Pd catalysts formed on GaN surface for green chemistry（2010-08）
• GaAs(001)面上Gaナノ構造によるナノホール形成（2010-07）
• Quantum structures formed by atomistic selective growth: From artificial to self-organized patterned substrates（2010-06）
• Site-control growth of InAs nano-dot on GaAs(001) by STMBE（2010-06）
• Selection nanohole formation by Ga droplet on GaAs(001) observed by STMBE（2010-06）
• Statistical analysis of surface reconstruction domains and quantum dot-forming pattern on InAs wetting layer（2010-06）
• STMBE studies on III-V and S-terminated surfaces（2010-05）
• in situ STM observation of the nanohole formation by Ga droplets on GaAs(001)（2010-05）
• in situ STM observation of InAs nano-dot growth on GaAs(001) by 3D growth assist method during As_4 irradiation at high temperature（2010-05）
• Surface study of organopalladium molecules on S-terminated GaAs（2010-05）
• Density functional theory for green chemical catalyst supported on S-terminated GaN(0001)（2010-05）
• STMBEよる量子ドット成長のその場観察（2010-04）
• 硫黄終端GaAs担持有機Pd触媒のFT‐IR測定（2010-03-03） [Othres link]
• 3次元成長アシスト法によるナノドット成長の高温その場STM観察（2010-03-03） [Othres link]
• GaAs(001)面上Ga液滴によるナノホール形成のその場STM観察（2010-03-03） [Othres link]
• 半導体量子ドット形成過程をリアルタイムに見る（2009-11）
• 半導体基板のパラジウム触媒反応への適用（2009-10-30） [Othres link]
• 走査型プローブ顕微鏡を用いたGaAs(110)へき開面の観察（2009-09-15） [Othres link]
• 3次元成長アシスト法によるナノドット配列制御のその場STM観察（2009-09-08） [Othres link]
• Palladium acetate molecules on sulphur-terminated GaAs (001) surface（2009-09）
• New application of S-terminated GaAs to a superior substrate of organometal catalysts for organic molecular reactions（2009-09）
• 第一原理計算を用いたS終端GaN(0001)表面担持型Pd触媒の研究（2009-09）
• 第一原理計算を用いたS終端GaAs(001)表面担持型Pd触媒の研究（2009-09）
• Structure determination of Pd-catalyst supported on S-terminated GaN(0001) using DFT calculation（2009-08）
• Surface investigation of sulphur-terminated GaAs(001) substrate for supported catalysts（2009-08）
• RHEED observation of organopalladium catalyst on S-terminated GaAs(001)-(2\times6) surface（2009-08）
• in situ STM observation of InAs wetting layer and quantum dot formations on GaAs(001) during MBE growth（2009-08）
• in situ STM Observation of InAs Quantum Dot on GaAs(001) Surface（2009-08）
• in situ STM observation of InAs wetting layer grown by MBE（2009-08）
• 阿南高専日亜化学講座でのナノテクノロジーに関する教育研究の取組（2009-07）
• GaAs(001)面上InAsウェッティング層とナノ構造のその場観察（2009-07）
• in situ STM observation of nano-structures generated near InAs quantum dots on GaAs (001) surface（2009-07）
• Structure determination of Pd-catalyst supported on S-terminated GaAs (001) using DFT calculation（2009-07）
• MBE成長したInAsウェッティング層上に現れたリング構造のその場STM観察（2009-07）
• Surface Investigation of Sulphur-terminated GaAs(001) Deposited with Organopalladium Catalyst（2009-06）
• 硫黄終端GaAs(001)-(2x6)面におけるX線表面散乱測定（2009-05）
• 走査型トンネル顕微鏡を用いて半導体結晶成長を原子レベルでその場観察する手法（2009-05）
• 半導体基板を用いたマイクロ波の反応加速（2009-04）
• GaAs(001)面上In液滴によるナノホール形成その場STM観察（2009-03-30） [Othres link]
• GaAs(001)面上InAsウェッティング層表面超構造の解析（2009-03-30） [Othres link]
• 硫黄終端GaAs(001)‐(2x6)面におけるX線表面散乱測定（2009-03-30） [Othres link]
• GaAs(001)面上InAsウェッティング層の成長その場STM観察（2009-03-30） [Othres link]
• 硫黄終端GaN(0001)面上Pd有機金属触媒のXPS分析（2009-03-30） [Othres link]
• 硫黄終端GaAs(001)‐(2x6)面上Pd有機金属触媒の触媒活性（2009-03-30） [Othres link]
• 環境負荷の軽減を指向した窒化ガリウム半導体基板担持触媒の開発（2009-03-13） [Othres link]
• 半導体担持型Pd触媒を用いた鈴木‐宮浦カップリング:繰り返し利用可能・低漏洩（2009-03-05） [Othres link]
• Surface Investigation of Sulphur-terminated GaAs (001) Deposited with Organopalladium Catalyst（2009-03）
• Effects of Processing Treatments for Practically Usable and Environmentally Acceptable Catalyst Supported on S-terminated GaN (0001)（2009-03）
• Investigations of InAs QD Formation on GaAs (001) by \textitin situ STM during MBE Growth（2009-03）
• in situ STM observation of ditch structures generated around InAs quantum dots on GaAs (001) grown by molecular beam epitaxy（2009-03）
• in situ STM Observation of Ditch Structures Near InAs Quantum Dots on GaAs (001) Surface（2009-01）
• in situ STM Studies on III-V Surfaces during MBE Growth（2009-01）
• Organopalladium catalyst on S-terminated GaAs (001) surface（2009-01）
• Development of Practically Usable & Green Chemical Catalyst Supported on S-terminated GaN (0001)（2009-01）
• ナノ粒子分散溶液における簡易沈降速度測定装置の開発（2009-01）
• 蛍光バイオイメージングへ向けた固相中析出反応によるナノ蛍光体の作製（2009-01）
• ナノスペースファクトリー：化合物半導体最前線（2008-12）
• in situ STM observation on organopalladium catalyst on S-terminated GaAs (001)-(2x6) surface（2008-08）
• 硫黄終端GaAs (001)-(2x6)面上のPd 有機金属触媒に関する研究（2008-07）
• 硫黄終端GaAs (001)-(2\times6)表面上への酢酸パラジウム蒸着（2008-07）
• GaAs (001)面上InAs 量子ドットのその場STM 観察（2008-07）
• A highly active organopalladium catalyst immobilised on S-terminated GaAs surface（2008-05）
• InAs quantum dot evolution observed by in-situ scanning tunneling microscopy during molecular beam epitaxy growth（2008-05）
• MBE成長その場STM観察(STMBE)装置を用いた基礎実験の展望（2008-03-27） [Othres link]
• 硫黄終端GaAs(001)‐(2×6)面上Pd有機金属触媒のその場STM観察（2008-03-27） [Othres link]
• GaAs(001)面上InAs量子ドット側面の高温その場STM観察（2008-03-27） [Othres link]
• GaAs(001)面上InAs量子ドット近傍の高温その場STM観察（2008-03-27） [Othres link]
• GaAs(001)面上InAs量子ドット端の高温その場STM観察（2008-03-27） [Othres link]
• 硫黄終端GaAs(001)‐(2×6)面上Pd有機金属触媒のRHEED観察（2008-03-27） [Othres link]
• GaAs(001)面上InAs量子ドットの高温その場STM観察（2008-03-27） [Othres link]
• Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Interface Structure and Electronic States of Organopalladium Catalysts Supported on S-terminated GaAs(001) Surface（2008-02）
• ＭＢＥによる環境調和型有機金属触媒の作製と薬学分野への応用（2007-12）
• マイクロバイオ認証のための希土類添加ナノ蛍光体の作製（2007-11）
• GaAs基板担持型パラジウム触媒の高機能化（2007-09-17） [Othres link]
• MBE成長その場STM観察によるInAs量子ドット発生メカニズムの解析（2007-06）
• 量子ドット形成に関する研究とそのためのMBE成長その場STM観察技術の開発（2007-05）
• GaAs(001)基板上自然形成ナノピットへのInAs QDs MBE選択成長（2007-03-27） [Othres link]
• ナノ計測検討会報告書（2007） [Othres link]
• As無し高温表面クリーニング法を施したGaAs(001)表面温度依存性の解析（2006-08-29） [Othres link]
• InAs量子ドットMBE成長その場STM観察（2006-08-29） [Othres link]
• Mn照射InAs量子ドットの光学特性（2006-03-22） [Othres link]
• GaAs(001)基板上InAs quantum dot MBE成長その場高温STM観察（2006-03-22） [Othres link]
• Sb照射GaAs(001)表面上InAs量子ドットMBE成長その場STM観察（2006-03-22） [Othres link]
• As無し高温表面クリーニング法を施したGaAs(001)基板表面の解析（2006-03-22） [Othres link]
• 新規不均一系GaAs担持型パラジウム触媒の開発（2006-03-06） [Othres link]
• 半導体表面ナノ構造の解析と応用（2005-09-23） [Othres link]
• GaAs基板担持型有機パラジウム触媒の製造とその機能（2005-09-20） [Othres link]
• As無し高温表面クリーニング法を施したGaAs(001)基板その場STM観察（2005-09-07） [Othres link]
• GaAs(001)‐c(4×4)上のSb照射表面その場STM観察（2005-09-07） [Othres link]
• GaAs(001)基板上InAs wetting layer MBE成長その場高温STM観察（2005-09-07） [Othres link]
• Sbを用いたMOCVD法自己形成InAs/GaAs量子ドットの高密度化・長波長化に関する検討（2005-03-29） [Othres link]
• InAs量子ドット発生メカニズムの実験的・理論的解析（2005-03-29） [Othres link]
• p型変調ドープによるInAs量子ドットのPL強度増加（2005-03-29） [Othres link]
• GaAs基板担持型新規Pd触媒の開発と有機合成反応への応用（2005-03-11） [Othres link]
• 半導体担持型パラジウム触媒の開発とその機能（2005-03-05） [Othres link]
• 25aXC-2 GaAs(001)表面上のInAs量子ドット形成初期過程のシミュレーションとその場観察STMによる研究(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))（2005-03-04） [Othres link]
• 新規GaAs担持型パラジウム触媒の合成と機能（2004-09-27） [Othres link]
• InP(100)基板上のInAs量子ドットのアニール効果（2004-09-01） [Othres link]
• InAs Wetting Layer表面構造のその場STM高温観察（2004-09-01） [Othres link]
• 液滴エピタキシーを用いたInGaAs量子ドット成長と歪みを利用した自己配列制御（2004-09-01） [Othres link]
• MBE法によるInAs量子ドットへのBe添加の影響（2004-09-01） [Othres link]
• GaAs(001)面上InAs量子ドットMBE成長時その場STM観察（2004-09-01） [Othres link]
• 新規GaAs担持型パラジウム錯体の創成（2004-03-05） [Othres link]
• 硫黄終端GaAs(001)基板上に結合した有機金属錯体の触媒活性（2003-08-30） [Othres link]
• InAs量子ドットMBE成長時その場STM直接観察（2003-08-30） [Othres link]
• 歪みバッファ層によるInAs量子ドットの高均一・高密度化（2003-08-30） [Othres link]
• 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造（2003-03-06） [Othres link]
• Ga‐rich GaAs(001)表面のSTM観察（2002-09-24） [Othres link]
• As安定化GaAs(001)‐c(4x4)表面に対する新たな構造モデル（2002-09-24） [Othres link]
• 7aSM-1 GaAs(001)-c(4×4)表面に対する新たな構造モデルの提唱(表面界面構造・電子物性,領域9)（2002-08-13） [Othres link]
• GaAs表面におけるGaナノクラスターの形成（2002-05-15） [Othres link]
• Ga安定化GaAs(001)表面の高温STM観察（2002-03-27） [Othres link]
• InAs/GaAs(110)上の周期的歪み場を利用したナノ構造の選択成長（2002-03-27） [Othres link]
• Ga安定化GaAs(001)‐c(8x2)表面の高温でのRHEED構造解析（2002-03-27） [Othres link]
• 27pYF-9 Ga安定化GaAs(001)表面の構造評価(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))（2002-03-01） [Othres link]
• Ga-rich GaAs[001] surfaces observed by STM during high-temperature annealing in MBE chamber（2002-01-01） [Othres link] [DOI]
• As照射下におけるGaAs(001)‐(2x4)表面原子配列（2001-09-11） [Othres link]
• 液滴エピタキシィ法により作製したGaAs量子ドットの顕微フォトルミネッセンス（2001-03-28） [Othres link]
• 液滴エピタキシィ法によりWetting Layer膜厚を制御したGaAs量子ドットの作製（2001-03-28） [Othres link]
• 低電圧カソードルミネッセンスによる液滴エビタキシィ法で作製した量子ドットの評価（2001-03-28） [Othres link]
• GaAs(001)表面のAs₄照射その場STM観察（2001-03-28） [Othres link]
• HDE法により作製したInGaAs量子ドットのPL特性の成長条件依存性（2001-03-28） [Othres link]
• 液滴エピタキシィ法によりWetting Layer膜厚を制御したGaAs量子ドットの作製（2001-03-15） [Othres link]
• HDE法により作製したInGaAs Concave Diskの発光特性（2000-09-03） [Othres link]
• GaAsエピタキシャル成長その場STM観察（2000-09-03） [Othres link]
• 液滴エピタキシィ法により作製した高品質GaAs量子ドットの光学特性（2000-09-03） [Othres link]
• SPEED法により作製したInGaAs量子ドットの構造評価（2000-03-28） [Othres link]
• GaAs(001)表面の原子吸着ダイナミクス（2000-03-28） [Othres link]
• S終端処理GaAs(001)表面の放射光光電子分光（1999-09-01） [Othres link]
• SPEED法により作製したInGaAs量子ドットの磁場中での発光特性（1999-09-01） [Othres link]
• 真空中S終端処理GaAs(001)表面の昇温脱離過程の解析（1999-09-01） [Othres link]
• SPEED法により作製したInGaAs量子ドットの磁場中での発光特性（1999-09-01） [Othres link]
• GaAs(001)表面上のMBE成長その場STM観察 (II)（1999-03-28） [Othres link]
• 放射光光電子分光法による真空中S終端処理GaAs(001)表面の解析（1998-09） [Othres link]
• 軟X線定在波法とX線吸収端微細構造による硫黄吸着GaAs(001)の加熱処理過程の解析（1998-09） [Othres link]
• ステップ近傍吸着原子のダイナミックスその場STM観察（1998-09） [Othres link]
• MBE成長その場STM観察装置の開発（1998-03） [Othres link]
• GaAs(001)表面上のMBE成長その場STM観察（1998-03） [Othres link]
• 7a-PS-55 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測IV（1997-09-16） [Othres link]
• S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測 IV（1997-09） [Othres link]
• 真空中S終端処理GaAs(001)表面の光電子分光法による観察（1997-03） [Othres link]
• 硫黄吸着GaAs(001)表面におけるS‐As置換反応過程の放射光による観察（1997-03） [Othres link]
• 硫化処理を施したGaAs表面構造の解析（1997） [Othres link]
• S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測III（1996-09-13） [Othres link]
• 31p-PSB-33 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測II（1996-03-15） [Othres link]
• S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測 II（1996-03） [Othres link]
• 真空中S終端処理GaAs(001)表面のSTM/STS観察（1996-03） [Othres link]
• 30a-PS-26 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測（1995-09-12） [Othres link]
• S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測（1995-09） [Othres link]
• 真空中S終端処理GaAs(001)‐(2×6)表面構造（1995-08） [Othres link]
• 真空中S終端処理GaAs(001)‐(2×6)表面構造の均一性（1995-03） [Othres link]
• 硫化処理したGaAs表面のSTM観察 2段階硫化処理による2×6表面再構成の均一化（1994-12） [Othres link]
• Observation of enhanced exciton binding energy in GaAs quantum wires by using a magnetophotoluminescence measurement（1994-12-01） [Othres link]
• 真空中S終端及びS保護処理を施したGaAs(001)表面のSTM観察（1994-09） [Othres link]
• 三角柱型GaAs量子細線の角度分解磁気PLスペクトル（1994-03） [Othres link]
• S終端処理を施したGaAs(001)表面のSTM観察（1994-03） [Othres link]
• MOCVD選択成長によるInGaAs歪量子細線レーザ構造の作製（1993-09） [Othres link]
• MOCVD選択成長によるGaAs量子ドットのPLおよびPLEスペクトル（1993-09） [Othres link]
• MOCVD選択成長によるInGaAs歪量子細線の作製とその光物性（1993-03） [Othres link]
• GaAs量子細線におけるキャリア寿命の測定 細線幅依存性（1993-03） [Othres link]
• MOCVD選択成長による高密度GaAs量子ドットの作製とそのPLスペクトル（1993-03） [Othres link]
• GaAs量子細線構造(~10nm)の作製とその光物性（1993-03） [Othres link]
• 有機金属気相選択成長による量子細線・量子ドットの作製とその光物性（1993-02） [Othres link]
• MOCVD選択成長によるGaAs量子細線(~10nm)の作製とその光物性（1992-11-19） [Othres link]
• GaAs量子ドットのPLスペクトルおよびキャリア寿命の測定（1992-09） [Othres link]
• Arrowhead型GaAs量子細線構造の作製とその光物性（1992-09） [Othres link]
• GaAs量子細線の時間分解PLスペクトル（1992-03） [Othres link]
• MOCVD選択成長によるGaAs量子細線の作製と光物性（1992-03） [Othres link]
• MOCVD選択成長によるInGaAs歪量子細線の作製（1992-03） [Othres link]
• MOCVD法によるGaAs量子細線の作製とその光学的性質（1991-12-11） [Othres link]
• GaAs量子細線におけるキャリア寿命の測定（1991-10） [Othres link]
• MOCVD選択成長による埋め込み型GaAsドット構造の作製（1991-10） [Othres link]
• MOCVD選択成長による埋め込み型GaAs量子細線構造の作製と光学的性質（1991-10） [Othres link]
• MOCVD選択成長による埋め込み型GaAs細線構造の作製 I（1991-03） [Othres link]
• MOCVD選択成長による埋め込み型GaAs細線構造の作製 II（1991-03） [Othres link]
• Novel selective growth of buried GaAs quantum wire arrays by metal organic chemical vapor deposition（1991-01-01） [Othres link]
• Growth process and mechanism of nanometer-scale GaAs dot-structures using MOCVD selective growth（1991-01-01） [Othres link]
• 電子ビーム描画パターン上へのMOCVD選択成長によるGaAs細線構造の作製（1990-09） [Othres link]

書籍等出版物

• 量子ドットエレクトロニクスの最前線（2011-03）
• Handbook of Self Assmebled Semiconductor Nanostructures Novel Devices in Photonics and Electronics（2008）

作品等

共同研究・競争的資金等の研究課題

メディア報道

産業財産権

• 半導体装置の製造方法（特許第5297519号）
• 固定型遷移金属触媒及びその製造方法並びにその使用方法（特許第5291472号）
• 半導体発光装置の製造方法（特許第5095260号）
• 半導体装置の製造方法（特開2012-124500）
• 基板結合型金属触媒、及びその製造方法（特許第4704857号）
• 固定型遷移金属触媒及びその製造方法並びにその使用方法（特開2010-158614）
• 半導体装置の製造方法（特開2007-335848）
• 基板結合型遷移金属触媒、及びその製造方法（特許第3929867号）
• 基板結合型金属触媒、及びその製造方法（特開2007-054790）
• 金属触媒及びその製造方法（特開2005-270918）
• 半導体量子ドット素子の製造方法（特許第3692407号）
• 半導体量子ドット素子及びその製造方法（特開2005-079182）
• 基板結合型遷移金属触媒、及びその製造方法（特開2004-130258）
• 半導体スーパーアトムとその結合体の作製方法（特許第3527941号）
• 結晶成長観察装置（特許第3188913号）
• 半導体スーパーアトムとその結合体の作製方法（特開2001-053014）
• 結晶成長観察装置（特開平11-171692）

所属学協会

• 日本結晶成長学会
• 応用物理学会

委員歴

担当経験のある科目

社会貢献活動

学術貢献活動